Транзистор irfz44n характеристики и аналоги

Содержание

Полевой транзистор IRFZ44N относится к категории мощных полупроводниковых приборов с изолированным затвором (MOSFET). Полупроводниковый триод имеет индуцированный канал N-типа и производится по технологии HEXFET.

Не вдаваясь в особенности технологии, следует отметить, что транзистор IRFZ44N, как и все HEXFET-транзисторы обладает крайне малым сопротивлением силовой цепи (сток-исток). Это ведет к тому, что даже при больших токах потери на нагрев резко снижаются. Как следствие – увеличивается КПД (особенно, при работе в ключевом режиме), уменьшается мощность, рассеиваемая в открытом состоянии, что ведет к уменьшению размеров теплоотводящих радиаторов.

Из других особенностей производители выделяют:

Динамически изменяющаяся скорость нарастания напряжения сток-исток (dV/dt).
Возможность работы при температуре до +175 град.С.
Быстрое переключение.
Полная защита от лавинного тока.

Кроме того, в даташите декларируются и такие качества, как высокая надежность и эффективность, но цифры, подтверждающие эти особенности, не приводятся.

Следует обратить внимание на наличие диода между истоком и стоком транзистора. Существование этого диода характерно для всех MOSFET и является издержкой внутренней структуры прибора. Наличие паразитного p-n перехода надо учитывать при проверке состояния MOSFET и при разработке схемы.

Параметры MOSFET

Производители полупроводникового прибора заявляют следующие характеристики IRFZ44N, измеренные при температуре +25 град.С (если не отмечены иные условия):

ХарактеристикаЗначениеРазмерностьМаксимальные значенияСтатические характеристикиДинамические параметры

Верхний предел напряжения сток-исток (Vds)	не менее 60	вольт
Верхний предел напряжения затвор-сток (Vgs)	±20	вольт
Предельный продолжительный ток стока (Id) при Uзи=10 В	49	ампер
Предельный продолжительный ток стока (Id) при Uзи=10 В и Т=+100 град.С	35	ампер
Предельный импульсный ток стока (Idm)	160	ампер
Температура пайки	300 (на расстоянии 1,6 мм от корпуса)	град.С
Предельная температура эксплуатации	+175	град.С
U пробоя сток-исток (Vbr(dss) при Uзи=0, Icтока=250 мкА	не менее 55	вольт
Ток утечки по направлению затвор-исток при Uзс=±20 В	±100	наноампер
Напряжение отсечки (Vgs(th)) при Uси=Uзи, Iстока=250 мка	1..3	вольт
Сопротивление канала сток-исток (Rds(on)) при Uзи=10 В, Iстока=25 А (импульсн.)	11..17,5	миллиом
Ток утечки закрытого канала при нулевом напряжении на затворе	1	микроампер
Ток утечки закрытого канала при нулевом	50 при T=+125 град.С
напряжении на затворе	250 при T=+175 град.С
Крутизна характеристики (gfs) при Ucи=25 В, Iстока=25 А (импульсн.)	19 (типовое значение – 60)	см
Входная емкость	Uзи = 0,

Предельные значения токов подразумевают эксплуатацию только с теплоотводящим радиатором. Если радиатора нет, ток не должен превышать 30% от указанного в datasheet. И даже если транзистор эксплуатируется на теплоотводе, производитель не рекомендует, чтобы значения рабочих токов или напряжений превышали 0,8 от предельных. В противном случае срок службы транзистора значительно снизится.

Транзистор полевой IRFZ44N

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

Главные характеристики irfz44n

Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:

Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
Наибольший ток стока — 49 Ампер.
Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.

В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:

У этих устройств может быть 2 вида каналов:

встроенный;
индуцированный.

Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.

Аналоги

МОП-транзисторов полностью совпадающих по всем значениям с IRFZ44N не существует. Перечислим наиболее подходящие по параметрам устройства: BUZ102, IRFZ45, irfz44n IRFZ40, IRF3205, STP45NF06, STP50N06, IRLZ44Z, STP55NF06. Помните, что перечисленные транзисторы не являются полными аналогами, поэтому перед заменой нужно изучить характеристики обеих приборов.

Среди крупных производителей IRFZ44N (datasheet по ссылки) можно назвать следующие компании:

International Rectifier;
Inchange Semiconductor Company;
NXP Semiconductors;
Kersemi Electronic;
First Components International;
Suntac Electronic;
Thinki Semiconductor;
TRANSYS Electronics;
Tiger Electronic.

Наиболее часто в отечественных магазинах встречаются изделия International Rectifier.

Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRFZ44N идеально подходит для управления мощной нагрузкой, поскольку из-за малого сопротивления n-канала мощность рассеивания достигает 110 Вт. Безусловно, в этом случае необходимо использовать хороший теплоотвод (радиатор).

Напряжение сток-исток Uси (max): 60В
Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А
Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм
Рассеиваемая мощность Pси (max): 110Вт
Крутизна характеристики : 15S
Пороговое напряжение на затворе: 4В
Корпус: TO-220AB, TO-220FP, TO-263

Габаритные и установочные размеры транзистора IRFZ44N

HUF75329P3
2SK1879 (ближайший аналог)
BUZ102 (ближайший аналог)
IRFZ40 (ближайший аналог)
STP45NF06 (ближайший аналог)

Datasheet IRFZ44N (68,0 KiB, скачано: 8 580)

IRFZ44N аналог IRFZ46N и IRFZ46NPBF

The IRFZ46NPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. . 175°C Operating temperature . Dynamic dV/dt rating . Fully avalanche rated

Просмотреть все

IRFZ44N Аналоги

образ модель Производители Название продукта Тип описание PDF сравнить IRFZ46N

TO-220AB N-Channel 55V 53A 16.5mΩ

Infineon Труба MOS Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются TO-220AB N-CH 55V 53A IRFZ44N и IRFZ46N аналог IRFZ44NPBF

REEL N-CH 55V 49A

Infineon Труба MOS Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220AB N-CH 55V 49A IRFZ44N и IRFZ44NPBF аналог IRFZ46NPBF

REEL N-CH 55V 53A

TO-220AB N-CH 55V 31A

TO-220 N-Channel 55A 19mΩ

ST Microelectronics Труба MOS Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными N-CHANNEL 60V — 0.019Ω — 55A POWER MOSFET IRFZ44N и STP55NE06 аналог SMP60N06-18 Vishay Siliconix Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET IRFZ44N и SMP60N06-18 аналог SMP60N06-18 Temic Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными N-Channel Enhancement Mode Transistor IRFZ44N и SMP60N06-18 аналог

IRFZ44N отечественный анало IRFZ46N, IRFZ46NPBF: IRFZ44N TO-220 N-Channel 55V 49A 17.5mΩ 1.47nF, IRFZ46N TO-220AB N-Channel 55V 53A 16.5mΩ, IRFZ46NPBF REEL N-CH 55V 53A. IRFZ44N характеристики и его российские аналоги IRFZ46N, IRFZ46NPBF: IRFZ44N Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, IRFZ46N TO-220AB N-CH 55V 53A, IRFZ46NPBF TO-220AB N-CH 55V 53A. IRFZ44N аналоги IRFZ46N, IRFZ46NPBF Корпус/Пакет: IRFZ44N Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, IRFZ46N TO-220AB N-CH 55V 53A, IRFZ46NPBF TO-220AB N-CH 55V 53A.

транзистор irfz44

IRFZ44 — н-канальный транзистор высокой мощности. Компонент производится по технологии КМОП, поэтому полупроводник является полевым. От биполярного его отличает минимальное потребление энергии в статическом режиме. Хорошие технические параметры позволяют использовать данную модель интегральной схемы в системах управления больших нагрузок.

Комплементарная структура транзистора наделяет его уменьшенным сопротивлением н-канала. Из-за этого предельное значение мощности рассеивания увеличено до 150Вт. Рассеивание происходит с помощью радиатора, без которого бы компонент быстро потерял способность функционировать.

Прежде чем купить транзистор irfz44 , стоит ознакомиться с его основными характеристиками:

размеры — 10 мм х 4 мм х 15 мм;
вес детали — 2,24 г;
шаг пинов — 2,54 мм;
количество «ножек » — 3;
выводной тип установки на монтажную плату;
сопротивление сток-исток в Ом — 0,028;
предельное напряжение сток-исток — 60-В.

Сила тока стока при температуре в +25°С составляет 50А.

Есть ли аналог для IRFZ44

Существует много аналогов транзистора irfz44 . Если брать похожие компоненты этой же серии — подойдет IRFZ44N. Отличается не таким хорошим показателем максимальной мощности рассеивания — 94Вт, но в обоих вариантах рекомендуемая предельная нагрузка составляет 50Вт из-за особенностей корпуса.

Аналог применяется в управлении мощной нагрузкой посредством широтно-импульсной модуляции, так как компонент может пропускать сквозь себя большой ток без критического повышения температуры. Транзистор подойдет для полумостовых или мостовых блоков питания, инверторов, ИБП, различных преобразователей. Модель имеет спрос как среди любителей радиоэлектроники, так и в промышленности.

STP55NF06 — тоже взаимозаменяемый аналог IRFZ44. Единственное отличие полевого транзистора в производителе. Компонент IRLZ44N станет заменой IRFZ44 в случае, если нужен полупроводниковый триод для работы с логическими уровнями.

Большой выбор аналогов есть у бренда Toshiba. Например, 2SK2266, 2SK2376, 2SK2385, 2SK1879, 2SK3051 и другие. Похожие транзисторы выпускает и компания Fuji — 2SK2494-01, 2SK905.

BUK7524-55 — серия «полевиков » от дочерней компании Филипс NXP. MOSFET-транзисторы имеет рассеиваемую мощность до 100 Ватт, номинальный ток стока — 45А, предельное напряжение сток-исток — 55В. 24 Ом — минимальное сопротивление открытого канала.

DataSheet

Главная › Даташиты › IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор

Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии
Динамический диапазон dv/dt
Рабочая температура 175°C
Быстрое переключение
С полностью нормированными лавинными параметрами

Абсолютные максимальные значения

Параметр	Макс.	Ед. изм.
ID при TC = 25°C	Постоянный ток стока, при VGS=10 В	49	А
ID при TC = 100°C	Постоянный ток стока, при VGS=10 В	35
IDM	Импульсный ток стока (1)	160
PD при TC = 25°C	Рассеиваемая мощность	94	Вт
Линейный коэффициент снижения мощности	0.63	Вт/ °C
VGS	Напряжение затвор-исток	± 20	В
IAR	Лавинный ток (1)	25	А
EAR	Повторяющаяся лавинная энергия (1)	9.4	мДж
dv/dt	Импульс на восстанавливающемся диоде (3)	5.0	В/нс
TJ и TSTG	Рабочая температура p-n перехода и температура хранения	от -55 до + 175	°C
Температура пайки, до 10 с	300		°C
Момент затяжки болтом М3	1.1	н∙м

ПараметрМин.Тип.Макс.Ед. изм.УсловияISПостоянный ток истока (Внутренний диод)——49АВ обозначении MOSFET транзистора показан

встроенный обратный p-n переход диода.

Повторяющееся значение; ширина импульса ограничена максимальной температурой p-n перехода.
Начальные условия TJ = 25°C, L = 0.48 мГн, RG = 25 Ом, IAS = 25 A.
ISD ≤ 25 A, di/dt ≤ 230 A/мкс, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C
Ширина импульса ≤ 400 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2%.
Это типовое значение при разрушении устройства представляет собой работу за пределами номинальных значений.
Эта расчетная величина ограничена температурой TJ = 175°C.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.