Серия транзисторов КТ829 относится к кремниевым, низкочастотным, высокомощным биполярным элементам со структурой типа NPN. Разработаны, изготовлены и применяются они ещё со времён СССР. Главной особенностью является составная конструкция, состоящая из двух соединённых биполярных транзисторов. Такую технологию называют схемой или парой Дарлингтона. Ее применение позволяет увеличить коэффициент передачи по току и рабочее напряжение. Также, стоит отметить высокую надёжность и долгий срок эксплуатации.
Основное применение линейка транзисторов КТ829 нашла в низкочастотных, операционных, дифференциальных усилительных устройствах и электронных переключающих схемах. Из практических задач, в которых встречается элемент, можно выделить регуляторы напряжения для автомобилей, управляющие схемы для сервоприводов и стабилизаторах. В советское время он использовался для изготовления усилителя “Радиотехника У-7101 стерео”, видеомагнитофона “Электроника ВМ-12” и в телевизорах.
Распиновка и маркировка
Транзистор выполнен в корпусе ТО-220 из пластика. Для электрического подключения предназначены три жёстких вывода одинаковой длины. Вес элемента не превышает пары грамм. Цоколевка КТ829 стандартная. На лицевой части слева направо идут база, коллектор и эмиттер. Внешний вид и схема распиновки представлены на рисунке:
Маркируются устройства очень просто. КТ обозначает кремниевый биполярный транзистор. Первая цифра 8 обозначает, что элемент мощный и высокоточный. Последние два числа 29 обозначают серию. Линейка транзисторов представлена четырьмя моделями, для обозначения каждой из которых используется символ — А, Б, В или Г.
Элемент не оснащен радиатором, и во многих применениях может спокойно эксплуатироваться без него. Однако, при работе на максимальных токовых значения лучше всего установить охлаждающий радиатор.
DataSheet
Главная › Транзисторы › Транзистор КТ829
Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ829А | BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2 , BDW73C, BDW63C *2 , 2SD1128 *2 , 2SD1740 *2 , BD267A *2 | |||
| КТ829Б | BD267A, BD263, TIP121, |
BD895, BDW23, BDW73,
Выпуск 108 — КТ829А.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Составной транзистор КТ829 справочник
Данный отечественный полупроводниковый прибор можно отнести к мощным составным транзисторам типа Дарлингтона. Он получил некоторое распространение в радиолюбительском деле, т.к по своим техническим характеристикам является достаточно неплохим в отечественной серии производимой по мезапланарной технологии. Прибор может работать на достаточно высоких предельных режимах, имеет неплохие частотные параметры. Его активно используют в схемах стабилизаторов напряжения и тока выходных каскадов усилителей, автомобильных регуляторов напряжения, электронных ключах, управления электодвигателями и схемах защиты автоматики. Имеет структуру типа n-p-n.
Транзистор до сих пор выпускается сразу на нескольких предприятиях нашей огромной страны. Основным изготовителями являются: российские компании АО «ФЗМТ», г. Фрязино и АО «Группа Кремний ЭЛ». Их легко приобрести, однако цена их несколько высоковата.
Транзисторы КТ829 чаще всего используются в схемах выходных каскадов усилителей.
По ссылке выше вы сможете скачать Datasheet на отечественный транзистор Дарлингтона КТ829, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном формате PDF.
Цоколевка и распиновка КТ829 справочник
Производят этот составной радиокомпонент в типовом пластиковом корпусе ТО-220 с тремя металлическими выводами. Транзистор имеет следующую распиновку: 1-й вывод — база, 2-й — коллектор, 3-й контакт— эмиттер.
Комплементарной парой для КТ829 является транзистор KT853. У него такие же параметры и свойства, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность с теплоотводом 60 Вт, граничная частота передачи тока 4 МГц.
Технические параметры и характеристики КТ829
Перед нами составной полупроводник, с неплохими характеристиками в своей серии. Рассмотрим их более подробно. Но учтите у разных производителей характеристики могут немного отличатся друг от друга.
Максимальные значения параметров составного транзистора КТ829:
Напряжение между: К-Э и К-Б переходами до 120 В;
Э-Б до 5 В
статический коэффициент передачи тока (H21Э) — до 750
Базовый ток до 0,2 Ампер
рассеиваемая мощность до 60 Вт
граничная частота передачи тока 4 МГц
температура p-n-перехода до 150°С
Превышение этих параметров или длительная эксплуатация в максимальных режимах приведет к гарантированному выходу полупроводника из строя.
Отечественное семейство трехвыводных КТ829 классифицируется по группам от «А» до «Г». Группа «Г» обладатель худших параметров, а КТ829АТ лучших. У достаточно современного варианта КТ829АТ расширен температурный диапазон от -60 до +125°С, а статический коэффициент передачи тока доходит до 8000 единиц.
Аналоги КТ829
Для данного отечественного уникума невозможно найти полноценный аналог как среди отечественных, так и импортных вариантов. Полностью идентичных транзисторов с соответствующими техническими параметрами не существует.
Импортным не полным аналогом с близкими параметрами можно считать, BD267B, 2SD686, 2SD691, 2SD692, BDW23C, BDх53C, TIP122, BD263A, BD265A, BD267A, BD335, BD647, BD681.
Отечественные варианты с близкими характеристиками: КТ827
Еще один эффективный метод замены, это собрать схему из двух транзисторов КТ817 и КТ819.
Как проверить КТ829 мультиметром
Чтобы проверить составной транзистор Дарлингтона его необходимо «запустить» то есть он должен как бы работать, для создания такого условия существует простой но интересный способ. Стрелочным мультиметром, в режиме проверки сопротивления (предел *1000) подключаем щупы, плюс на вывод коллектора, минус на эмиттер — для n-p-n (для p-n-p наоборот) — стрелка тестера не двинется сместа оставаясь в начале шкалы «бесконечность» (для цифрового мультиметра «1») Теперь если немного послюнявить палец и замкнуть им прикоснувшысь к выводам базы и коллектора то стрелка сдвинется с места от того что составной полупроводник немного приоткроется. Таким же способом можно проверить любой транзистор даже не выпаивая его из схемы. Но следует помнить что некоторые составные транзисторы имеют в своем внутреннем устройстве защитные диоды в переходе эмиттер-коллектор что дает им хороший бонус при работе с индукционной нагрузкой.
Составной транзистор принцип работы
Немного теории, для понимания азов функционирования данного радио элемента.
Усилитель на одном транзисторе КТ829
 |
Транзистор КТ829: Характеристики и аналоги
Транзисторы серии КТ829, согласно своим техническим характеристикам, предназначены для использования в усилительных устройствах, работающих на звуковой частоте. Это составные, кремниевые устройства, изготовленные по схеме Дарлингтона. При их изготовлении была применена мезапланарная технология. Структура n-p-n. Может устанавливаться в усилителях НЧ и переключательных схемах.
Изготавливают КТ829 в пластиковом корпусе для дырочного монтажа КТ-28, который считается аналогом иностранной упаковки TO-220. Его масса не должна превышать 2 грамма. Выводы размещены в таком порядке (слева направо, если расположить транзистор так, чтобы ножки смотрели вниз, а маркировка была обращена к вам): первый – база, второй – коллектор и третий – эмиттер. Более детально ознакомиться с цоколёвкой КТ829, внешним видом, геометрическими размерами можно познакомиться по рисунку, который расположен ниже.
Технические характеристики
Начнём рассмотрение х-к КТ829 с их предельно возможных значений, так как они имеют важное значение для функционирования прибора и могут привести к выходу его из строя при превышении. Кроме того, необходимо быть осторожным при продолжительной работе при значениях, приближающимся к наибольшим допустимым, так как это может сократить время эксплуатации устройства. Замеры параметров были выполнены при стандартной комнатной т-ре +25°C.
Максимальные характеристики КТ829:
- разность потенциалов между коллектором и эмиттером (RБЭ ≤ 1 кОм), а также коллектором и базой транзистора КТ829: А – 100 В; Б – 80 В; В – 60 В; Г – 45 В.
- Разность потенциалов база – эмиттер – 5 В;
- ток, идущий через коллектор 8 А;
- кратковременный ток, идущий через коллектор (продолжительность импульса до 500 мкс) – 12 А;
- ток, протекающий по базе базы 0,2 А;
- мощность (при т-ре от -40°С до +25°С) – 60 Вт;
- сопротивление кристалл – корпус (тепловое) – 2,08 °С/Вт;
- максимальная т-ра кристалла +150°С;
- т-ра окружающего воздуха от -40°С до +85°С.
Теперь займёмся изучением электрических параметров КТ829, они играют важную роль в определении потенциальных возможностей и области применения данного транзистора. Все измерения проведены при комнатной температуре +25°С. Дополнительные параметры, использованные при тестировании, можно обнаружить в столбце «Условия измерения».
| Название | Условия измерения | Маркировка | мин | мах | Ед. изм |
| К-т усиления тока | UКЭ = 3 В, IК = 3 А, ТК от +25 до +85°С ТК -25°С | А-Г | 750 100 | ||
| К-т передачи тока на ВЧ | UКЭ = 3 В, IК = 3 А, f = 10 МГц | А-Г | 0,4 | ||
| Граничная разность птенциалов | IК = 100 мА | А Б В Г | 100 80 60 45 | В | |
| Напряжение насыщения К-Э | IК = 3,5 А, IБ=14 мА | А-Г | 2 | В | |
| Разность потенциалов насыщения Б-Э | IК = 3,5 А, IБ=14 мА | А-Г | 2,5 | В | |
| Ток К-Э, текущий в обратном направлении | UКЭ R= UКЭ R макс, RБЭ ≤ 1 кОм ТК от +25 до -40°С ТК +85°С | А-Г | 1,5 3 | мА | |
| Ток эмиттера, протекающий в обратном направлении | UБЭ = 5 В | А-Г | 2 | мА | |
| Ёмкость на коллекторном переходе | UКБ= UКБ макс | А-Г | 120 | пФ |
Также в технической документации предусмотрены условия для безопасного монтажа транзистора. Так допускается пайка выводов на расстоянии 5 мм и выше. При этом корпус не должен нагреваться более чем до +85°С.
