Irf 3205 технические характеристики

Содержание

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

1. Advanced Process Technology

2. Ultra Low On-Resistance

3 Dynamic dv/dt Rating

4. 175°C Operating Temperature

5. Fast Switching

6. Fully Avalanche Rated

Similar Part No. — IRF3205

Manufacturer	Part #	Datasheet	Description
International Rectifier	IRF3205	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, >
Kersemi Electronic Co.	IRF3205	4Mb / 12P	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
Nell Semiconductor Co.	IRF3205	622Kb / 7P	N-Channel Power MOSFET
Thinki Semiconductor Co.	IRF3205	970Kb / 5P	N-Channel Trench Process Power MOSFET Transistor
Inchange Semiconductor .	IRF3205	139Kb / 2P	isc N-Channel Mosfet Transistor

Manufacturer	Part #	Datasheet	Description
International Rectifier	IRF3205S	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, >
	IRFP064N	107Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, >
	IRF7458	120Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, >
	IRFR2605	345Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, >
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, >
	IRFBA1405P	238Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, >
	IRFZ34N	195Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, >
	IRFZ44NS	151Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, >
	IRF9Z34NS	162Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, >
	IRFI1010N	109Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, >

VovaMasterZvuk — Транзистор IRF3205Z, IRF3205, 3205, TO220, проверка 50 амперами, отличное качество

Irf 3205 технические характеристики

Наименование прибора: IRF3205

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 146(max) nC

Время нарастания (tr): 101 ns

Выходная емкость (Cd): 781 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

PD-94791BIRF3205PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achievee

PD-91279EIRF3205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistan

SEMICONDUCTORIRF3205TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET (55V/120A) PurposeSuited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated productsFeatureLow RDS(on),low gate charge,low Crss,fast switching. Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Rating Unit 1.Gate

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205IIRF3205FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

PD — 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

PD — 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

PD — 94149IRF3205S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res

PD — 94653AUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 6.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest

PD — 97741AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyDl Low On-ResistanceV(BR)DSS55Vl Dynamic dV/dT RatingRDS(on) max.8.0ml 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingID (Silicon Limited)110Al Fully Avalanche RatedSID (Package Limited)75Al Repetitive Avalanche Allowedup to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Complian

PD — 94653BIRF3205ZAUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZSIRF3205ZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5mGDescriptionID = 75ASpecifically designed for Automotive applications,Sthis HEXFET Power MOS

AUIRF3205Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3205ZS HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 6.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 110A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *

RoHS IRF3205 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(110A, 55Volts)DESCRIPTION The Nell IRF3205 is a three-terminal silicon device with current conduction capabilityDDof 110A, fast switching speed, low on-stateresistance, breakdown voltage rating of 55V,and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed as an extremely efficient

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZIIRF3205ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Размеры IRF3205

Такого вида транзисторы зачастую отличаются между собой толщиной и другими размерами. Чтобы не допустить какие-либо ошибки, производители всегда указывают точные габариты в datasheet компонента. Также они учитывают производственные процессы и отмечают допуски.

Исходя из этих размеров, Вы можете рассчитать правильное положение транзистора на плате и в корпусе и подобрать подходящий радиатор.

Характеристики IRF3205

Постоянный максимальный ток на коллектора при 10В и 25C — 110А
Постоянный максимальный ток на коллекторе при 10В и 100C — 80А
Максимальный ток при импульсном режиме — 390А
Максимальное напряжение на канале сток-исток — 55В
Напряжение для открытия — 2-4В
Максимальное напряжение на затворе — ±20В
Сопротивление канала сток-исток — 8 мОм
Емкость затвора — ±3200 пФ
Время открытия — ±14 нс
Время закрытия — ±50 нс
Максимальная мощность рассеивания — 200 Вт
Диапазон рабочих температур — -55-175C
Температура пайки (до 10 секунд) — 300C

Отдельное замечание по поводу максимального тока на коллекторе. Официально указанные 110 Ампер — это действительно максимальная сила тока для кристалла, но к нему он идет по тонкой проволочке от контакта истока. Она может выдержать максимум 75А. Это ограничение носит название “Максимальный ток корпуса”.

Если Вам необходимы полные характеристики и графики зависимости, то найти Вы их сможете в официальном datasheet.

Производители

Все производители полевого транзистора IRF3205 и его DataSheet:

Kersemi Electronic;
Thinki Semiconductor;
ARTSCHIP ELECTRONICS;
Nell Semiconductor;
First Silicon.

На Российском рынке можно приобрести изделия таких компаний:

International Rectifier;
Inchange Semiconductor.

IRF3205 параметры

Тип — N-канальный MOSFET с обратным диодом
Тип корпуса — TO-220AB (SOT78)
Диапазон рабочих температур -55..+175°C

Максимальное напряжение сток-исток Uси = 55 В, позволяет транзистору IRF3205 работать в преобразователях напряжения питающихся от 12, 24 и 36 В, то есть во всех автомобильных применениях, в источниках бесперебойного питания и много ещё где.
При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. = 8 мОм (0,008 Ом) и максимальный ток сток-исток при температуре 25°С: Iси макс.= 110 А. Вот только цифра 110 А, это лишь маркетинговый ход — это ток самого кристалла, а вот проволочка которой припаян контакт истока на кристале к выводу выдержит лишь 75 А. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.

Время включения = 14 нс,
Время выключения = 50 нс,
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В,
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 200 Вт,
Крутизна характеристики S = 44,
Пороговое напряжение на затворе 2…4 В,
Ток утечки затвора < 0,1 uA,
Ток утечки стока (закр.) < 25uA.

IRF3205 аналоги

Сам по себе транзистор IRF3205 (судя по даташитам) выпускался с 2001 и заслужил справедливую популярность и вот в 2011 выпустили обновленную версию с индексом «Z». Причем новая серия содержит три типа в разных корпусах:

IRF3205Z — TO-220AB
IRF3205ZS — D2Pak (поверхностный монтаж)
IRF3205ZL — TO-262 (для пайки стока к охладителю)

IRF3205Z обладает пониженным сопротивленим канала в открытом состоянии Rси вкл. = 6,5 мОм (0,0065 Ом), улучшенными временными характеристиками.

IRF3205 и IRF3205Z можно купить на ибее, первые от 3 долларов за десяток, вторые от 6,5 долларов. Разница в цене больше чем в два раза. Покупайте электронные компоненты из Китая только у проверенных продавцов и проверяйте их перед использованием.

Запись опубликована 22.05.2016 автором в рубрике Силовая электроника, Электроника для начинающих.

25 thoughts on “ Транзистор irf3205 параметры ”

Описание

Транзистор IRF3205PBF — это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). Имеет большое поддерживаемое напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Распиновка транзистора выполнена в пластиковом корпусе TO-220 с тремя металлическими, гибкими выводами.
Основной особенностью IRF3205PBF является очень низкое сопротивление, в открытом состоянии, составляющее порядка 0,008 Ом. Из за низкого внутреннего сопротивления его часто используют для коммутации цепей в инверторах, электроинструменте, преобразователях постоянного тока и т.д.
Транзистор так же популярен при работе в ключевом режиме в повышающих высокочастотных инверторах, например автомобильных. Посредством параллельного включения нескольких корпусов есть возможность построения преобразователей, рассчитанных на значительные токи.

Показать весь тект

Технические характеристики
Документация
Доставка

Производитель	Infineon
Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	110
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики S,А/В	44
Температура, С	-55…+175
Корпус	TO220AB

Мы работаем с разными грузовыми компаниями:

самовывоз из офиса в Москве
курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
ПВЗ Boxberry
почта России
экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплатить товар можно:

Банковским переводом
Наличными при получении товара (для клиентов из Москвы и Санкт-Петербурга)
Пластиковой картой Visa/MasterCard (кроме клиентов с самовывозом из Санкт-Петербурга)

Возможно понадобится

140.00 руб./шт.
91 шт

160.00 руб./шт.
35 шт

300.00 руб./шт.
Нет в наличии

580.00 руб./шт.
Нет в наличии

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Корзина ×

Товар добавлен в корзину!

Альтернативные предложения на IRF3205PBF

Цена зависит от количества. Укажите требуемое количество и вам будут предложены лучшие цены и условия поставки.

Наименование Цены, руб. с НДС Условие
поставки НаличиеВ корзину

IRF3205PBF, транзистор N-канал TO-220AB
Infineon
номенклатурный номер 2010002761

от 1250 — 45.33
от 650 — 45.33
от 350 — 47.18
от 200 — 50.50
от 1 — 54.78
Потребуется 100% предоплата

1 неделя

4968 шт.

Цены указаны с НДС, наличие указано на 05.02.2024 22:07

Внимание:

+7(495) 97-000-99
®ПЛАТАН с 1991 г.
www.platan.ru с 1997 г.

Как купить
Как сделать заказ
Доставка заказа
Способы оплаты
Оплата картой
Возврат и обмен товара

Транзистор IRF3205: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

IRF3205 – это N-канальный мощный полевой транзистор предназначен для работы в ключевом режиме. IRF3205 используется в регуляторах мощности, переключателях, преобразователях, в которых необходима повышенная скорость переключения.

Параметры транзистора IRF3205

Напряжение сток-исток Uси (max): 55В
Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 110А
Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 8 мОм
Рассеиваемая мощность Pси (max): 200Вт
Крутизна характеристики : 44S
Пороговое напряжение на затворе: 2…4В
Корпус: TO-220AB

BUZ111S
HRF3205
HRF3205L
HUF75344P3
HUF75344S3S
STB80NF55L-08-1
STP80NF55-06

Datasheet IRF3205 (86,6 KiB, скачано: 4 048)

IRF3205PBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Тип упаковки
Нормоупаковка
Вес брутто
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Тип транзистора
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Необходимо авторизоваться на сайте

Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.

Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)

Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.

Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара
Адрес для заказа:
For suppliers:
Мы в соцсетях
Наши приложения
Принимаем к оплате
Информация
Покупателю