Транзисторы являются одним из самых важных элементов современной электроники. Они играют ключевую роль в работе компьютеров, телефонов, радиоприемников и других устройств. Однако, иногда транзисторы могут иметь низкую толщину основания, что может привести к различным проблемам.
Толщина основания в транзисторе определяет его электрические свойства. Более тонкое основание может увеличить его пропускную способность, однако, также может вызывать проблемы с теплоотводом и надежностью работы устройства. Для повышения производительности транзисторов, их толщина основания должна быть минимальной, но в то же время она должна обеспечивать стабильный и долговечный функционирование.
Одной из причин низкой толщины основания может быть использование новых материалов и технологий производства. Например, в некоторых современных транзисторах применяются полупроводники с низкой энергией запрещенной зоны, что позволяет достичь высокой производительности при низком энергопотреблении устройства. Однако, при таких материалах может возникнуть проблема с тепловыделением, так как они могут быстро нагреваться и неэффективно отводить тепло.
В некоторых случаях, низкая толщина основания может быть вызвана и производственными ошибками. Например, при нанесении слоя основания на подложку материал может быть нанесен неравномерно или не соответствовать требуемым спецификациям. Это может привести к снижению надежности и долговечности работы транзистора, а также к возникновению различных электрических и термических проблем.
Внутренние причины низкой толщины основания транзистора
Низкая толщина основания транзистора может быть обусловлена несколькими внутренними причинами, связанными с его конструкцией и материалами:
- Выбор материала основания: Основание транзистора обычно изготавливается из полупроводникового материала, такого как германий или кремний. При выборе материала основания учитывается его проводимость и структура кристаллической решетки. Некоторые материалы могут обладать более низкой толщиной, что влияет на размеры и характеристики транзистора.
- Технологические процессы: Процессы осаждения и нанесения материалов на поверхность основания транзистора могут влиять на его толщину. Технические ограничения, связанные с производством, могут оказывать влияние на возможности увеличения толщины основания.
- Разработка и оптимизация структуры: Оптимизация структуры транзистора, включая расположение и размеры различных слоев, таких как эмиттер, коллектор и основание, может иметь прямое влияние на физические параметры транзистора, включая его толщину.
- Тепловые эффекты: Внутренние тепловые эффекты в транзисторе могут привести к изменению его размеров и формы, включая толщину основания. Тепло, генерируемое в процессе работы транзистора, может вызывать деформацию материала и приводить к уменьшению его толщины.
Все эти факторы могут влиять на толщину основания транзистора и, следовательно, на его электрические свойства и производительность.
Отличие в работе каскадов с общим эмиттером, базой, коллектором
Чем объясняется малая толщина базы в транзисторе?
Обучайтесь и развивайтесь всесторонне вместе с нами, делитесь знаниями и накопленным опытом, расширяйте границы знаний и ваших умений.
поделиться знаниями или
запомнить страничку
- Все категории
- экономические 43,679
- гуманитарные 33,657
- юридические 17,917
- школьный раздел 612,672
- разное 16,911
Популярное на сайте:
Как быстро выучить стихотворение наизусть? Запоминание стихов является стандартным заданием во многих школах.
Как научится читать по диагонали? Скорость чтения зависит от скорости восприятия каждого отдельного слова в тексте.
Как быстро и эффективно исправить почерк? Люди часто предполагают, что каллиграфия и почерк являются синонимами, но это не так.
Как научится говорить грамотно и правильно? Общение на хорошем, уверенном и естественном русском языке является достижимой целью.
- Обратная связь
- Правила сайта
Чем объясняется малая толщина базы в транзисторе
1. Какими носителями электрического заряда создается ток в полупроводниках?
Верный ответ : 1. Электронами и дырками.
Неверный ответ: 2. Только дырками.
Неверный ответ: 3. Только электронами.
2. Каким типом проводимости обладают полупроводники с акцепторной примесью?
Верный ответ : 1. В основном дырочной.
Неверный ответ: 2. В основном электронной.
Неверный ответ: 3. Электронной и дырочной.
3. К полупроводнику р-n-типа подключен источник тока, как показано на Будет ли амперметр регистрировать ток в цепи?
Верный ответ : 1. Нет.
Неверный ответ: 2. Да.
Неверный ответ: 3. Определенного ответа дать нельзя.
4. На представлены три варианта включения полупроводниковых диодов в электрическую цепь с одним и тем же источником тока. В каком случае сила тока в цепи будет иметь максимальное значение?
Верный ответ : 1. В случае Б.
Неверный ответ: 2. В случае А.
Неверный ответ: 3. В случае В.
5. Каким типом проводимости обладают чистые полупроводники?
Верный ответ : 1. Электронной и дырочной.
Неверный ответ: 2. Только электронной.
Неверный ответ: 3. Только дырочной.
6. Каким типом проводимости обладают полупроводники с донорной примесью?
Верный ответ : 1. В основном электронной.
Неверный ответ: 2. В основном дырочной.
Неверный ответ: 3. Электронной и дырочной.
7. К полупроводнику р-n-типа подключен источник тока, как показано на. Будет ли амперметр регистрировать ток в цепи?
Верный ответ : 1. Да.
Неверный ответ: 2. Нет.
Неверный ответ: 3. Определенного ответа дать нельзя.
8. На представлены три варианта включения полупроводниковых диодов в электрическую цепь с одним и тем же источником тока. В каком случае сила тока в цепи будет иметь минимальное значение?
Верный ответ : 1. В случае А.
Неверный ответ: 2. В случае Б.
Неверный ответ: 3. В случае В.
9. Чем объясняется малая толщина базы в транзисторе?
Верный ответ : 1. Необходимо, чтобы попадающие в базу с эмиттера основные носители зарядов не успевали рекомбинировать.
Неверный ответ: 2. Необходимо, чтобы попадающие в базу с эмиттера основные носители зарядов успели рекомбинировать.
Неверный ответ: 3. Необходимо, чтобы база не создавала большого сопротивления.
10. Элемент какой группы следует ввести в полупроводник, относящийся к IV группе, чтобы получить в нем проводимость n-типа?
Верный ответ : 1. V.
Неверный ответ: 2. II.
Неверный ответ: 3. III.
Неверный ответ: 4. IV.
Неверный ответ: 5. VI.
11. Элемент какой группы следует ввести в полупроводник, относящийся к IV группе, чтобы получить проводимость р-типа?
Верный ответ : 1. III.
Неверный ответ: 2. V.
Неверный ответ: 3. II.
Неверный ответ: 4. IV.
Неверный ответ: 5. VI.
12. Добавление элемента V группы привело к возникновению проводимости n-типа. К какой группе относится полупроводник?
Верный ответ : 1. IV.
Неверный ответ: 2. V.
Неверный ответ: 3. II.
Неверный ответ: 4. III.
Неверный ответ: 5. VI.
13. Какие носители тока являются основными в полупроводниках р-типа?
Верный ответ : 1. Дырки.
Неверный ответ: 2. Электроны.
14. Какие носители тока являются неосновными в полупроводниках n-типа?
Верный ответ : 1. Электроны.
Неверный ответ: 2. Дырки.
15. В полупроводнике ток, переносимый электронами — Iэ, и ток, переносимый дырками — Iд.
Если полупроводник обладает собственной проводимостью, то какое соотношение токов будет верным?
Верный ответ : 1. Iэ = Iд
Неверный ответ: 2. Iэ > Iд
Неверный ответ: 3. Iэ Верный ответ : 1. Iэ Неверный ответ: 2. Iэ = Iд
Неверный ответ: 3. Iэ > Iд
17. В полупроводнике ток, переносимый электронами — Iэ, и ток, переносимый дырками — Iд.
Если полупроводник обладает проводимостью n-типа, то какое соотношение токов будет верным?
Верный ответ : 1. Iэ > Iд
Неверный ответ: 2. Iэ Неверный ответ: 3. Iэ = Iд
18. На рисунке показаны оба возможных включения р-n-перехода. Укажите, в каком случае р-n-переход включен в прямом направлении.
Верный ответ : 1. Рисунок 1 — прямое включение, рисунок 2 — обратное.
Неверный ответ: 2. Рисунок 1 — обратное включение, рисунок 2 — прямое.
Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Это находит простое физическое объяснение: чем больше толщина базы транзистора , тем большее число нейтронов взаимодействует на своем пути с ядрами атомов вещества и тем больше нарушается структура кристаллической решетки. Следовательно, более стойкими к воздействию радиации являются высокочастотные полупроводниковые приборы, имеющие тонкую базу. [4]
Исходя из принципа действия биполярного транзистора диффузионная длина неосновных носителей должна быть значительно больше толщины базы транзистора . Однако для уменьшения времени рассасывания носителей при работе транзистора в переключающих импульсных схемах, переводящих транзистор из режима отсечки в режим насыщения и обратно, необходим исходный материал с малым временем жизни неосновных носителей заряда, а следовательно, и с малой диффузионной длиной. Таким образом, для изготовления биполярных транзисторов должен быть использован полупроводник с оптимальным значением диффузионной длины неосновных носителей заряда. [5]
В связи с тем, что коллекторный переход практически сосредоточен в области базы, изменения толщины коллекторного перехода при изменениях напряжения на коллекторе приводят к изменению толщины базы. Изменение толщины базы транзистора в результате изменения толщины слоев пространственного заряда электрических переходов лри изменении напряжения на них называется модуляцией толщины базы. [6]
Чем скорее проходят дырки базу, тем меньше значение та и тем выше граничная частота транзистора. Для повышения граничной частоты уменьшают толщину базы транзистора . [8]
Как уже было сказано в гл. III, быстродействие ключей определяется прежде всего эффективным временем жизни и толщиной базы транзистора и, следовательно, необходимая скорость переключения может быть получена соответствующим выбором типа транзистора. [9]
Для изготовления биполярных транзисторов должен быть использован полупроводник с оптимальным значением диффузионной длины неосновных носителей. Исходя из принципа действия биполярного транзистора диффузионная длина неосновных носителей должна быть значительно больше толщины базы транзистора . Однако для уменьшения времени рассасывания при работе транзистора в импульсных схемах необходим исходный материал с малым временем жизни неосновных носителей, а следовательно, и с малой диффузионной длиной. [10]
Прямое напряжение U уменьшает потенциальный барьер в эмиттерном переходе, и сопротивление п-области эмиттера снижается. Электроны из n — области свободно преодолевают потенциальный барьер и попадают в р-об-ласть базы. Толщина базы транзистора очень мала. [12]
Время задержки определяется временами диффузии носителей к центральному р — — переходу. С ростом интенсивности света время t3 уменьшается вследствие увеличения коэффициента диффузии. Для повышения фоточувствительности и уменьшения времени задержки целесообразно уменьшать толщины баз составляющих транзисторов . [13]
Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Это находит простое физическое объяснение: чем больше толщина базы транзистора , тем большее число нейтронов взаимодействует на своем пути с ядрами атомов вещества и тем больше нарушается структура кристаллической решетки. Следовательно, более стойкими к воздействию радиации являются высокочастотные полупроводниковые приборы, имеющие тонкую базу. [4]
Исходя из принципа действия биполярного транзистора диффузионная длина неосновных носителей должна быть значительно больше толщины базы транзистора . Однако для уменьшения времени рассасывания носителей при работе транзистора в переключающих импульсных схемах, переводящих транзистор из режима отсечки в режим насыщения и обратно, необходим исходный материал с малым временем жизни неосновных носителей заряда, а следовательно, и с малой диффузионной длиной. Таким образом, для изготовления биполярных транзисторов должен быть использован полупроводник с оптимальным значением диффузионной длины неосновных носителей заряда. [5]
В связи с тем, что коллекторный переход практически сосредоточен в области базы, изменения толщины коллекторного перехода при изменениях напряжения на коллекторе приводят к изменению толщины базы. Изменение толщины базы транзистора в результате изменения толщины слоев пространственного заряда электрических переходов лри изменении напряжения на них называется модуляцией толщины базы. [6]
Чем скорее проходят дырки базу, тем меньше значение та и тем выше граничная частота транзистора. Для повышения граничной частоты уменьшают толщину базы транзистора . [8]
Как уже было сказано в гл. III, быстродействие ключей определяется прежде всего эффективным временем жизни и толщиной базы транзистора и, следовательно, необходимая скорость переключения может быть получена соответствующим выбором типа транзистора. [9]
Для изготовления биполярных транзисторов должен быть использован полупроводник с оптимальным значением диффузионной длины неосновных носителей. Исходя из принципа действия биполярного транзистора диффузионная длина неосновных носителей должна быть значительно больше толщины базы транзистора . Однако для уменьшения времени рассасывания при работе транзистора в импульсных схемах необходим исходный материал с малым временем жизни неосновных носителей, а следовательно, и с малой диффузионной длиной. [10]
Прямое напряжение U уменьшает потенциальный барьер в эмиттерном переходе, и сопротивление п-области эмиттера снижается. Электроны из n — области свободно преодолевают потенциальный барьер и попадают в р-об-ласть базы. Толщина базы транзистора очень мала. [12]
Время задержки определяется временами диффузии носителей к центральному р — — переходу. С ростом интенсивности света время t3 уменьшается вследствие увеличения коэффициента диффузии. Для повышения фоточувствительности и уменьшения времени задержки целесообразно уменьшать толщины баз составляющих транзисторов . [13]
ПОЧЕМУ БАЗА ТРАНЗИСТОРА ДОЛЖНА БЫТЬ УЗКОЙ
База транзистора должна быть узкой, чтобы обеспечить эффективное управление подачей и прохождением тока в устройстве. Узкий размер базы позволяет транзистору работать в режиме насыщения, где малое изменение тока базы приводит к большому изменению тока коллектора. Это свойство узкой базы обеспечивает высокую усиливающую способность транзистора и улучшает его работу в цепях усиления и коммутации сигналов.
Транзисторный ключ, эмиттерный повторитель, пуш-пулл, полумост и мост. Самое подробное объяснение.
Схемы включения ТРАНЗИСТОРА. Общий эмиттер, общий коллектор, общая база.
КАК РАБОТАЕТ ТРАНЗИСТОР — ОБЪЯСНЯЮ НА ПАЛЬЦАХ
Вот почему лучше не оставлять базу или затвор транзистора в ВОЗДУХЕ
БЛОК Питания с регулировкой на 40 ампер Для зарядки аккумуляторов DIY
ТРИ схемы включения транзистора.Общий эмиттер,коллектор и база.Как это работает
ТРАНЗИСТОР: Общий эмиттер, Общий коллектор и Общая база. В теории и экспериментах!
Как работает транзистор и для чего нужен #КакРаботаетТранзистор
Биполярный транзистор. Основные параметры, схемы включения и мн.др.
Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Это находит простое физическое объяснение: чем больше толщина базы транзистора , тем большее число нейтронов взаимодействует на своем пути с ядрами атомов вещества и тем больше нарушается структура кристаллической решетки. Следовательно, более стойкими к воздействию радиации являются высокочастотные полупроводниковые приборы, имеющие тонкую базу. [4]
Исходя из принципа действия биполярного транзистора диффузионная длина неосновных носителей должна быть значительно больше толщины базы транзистора . Однако для уменьшения времени рассасывания носителей при работе транзистора в переключающих импульсных схемах, переводящих транзистор из режима отсечки в режим насыщения и обратно, необходим исходный материал с малым временем жизни неосновных носителей заряда, а следовательно, и с малой диффузионной длиной. Таким образом, для изготовления биполярных транзисторов должен быть использован полупроводник с оптимальным значением диффузионной длины неосновных носителей заряда. [5]
В связи с тем, что коллекторный переход практически сосредоточен в области базы, изменения толщины коллекторного перехода при изменениях напряжения на коллекторе приводят к изменению толщины базы. Изменение толщины базы транзистора в результате изменения толщины слоев пространственного заряда электрических переходов лри изменении напряжения на них называется модуляцией толщины базы. [6]
Чем скорее проходят дырки базу, тем меньше значение та и тем выше граничная частота транзистора. Для повышения граничной частоты уменьшают толщину базы транзистора . [8]
Как уже было сказано в гл. III, быстродействие ключей определяется прежде всего эффективным временем жизни и толщиной базы транзистора и, следовательно, необходимая скорость переключения может быть получена соответствующим выбором типа транзистора. [9]
Для изготовления биполярных транзисторов должен быть использован полупроводник с оптимальным значением диффузионной длины неосновных носителей. Исходя из принципа действия биполярного транзистора диффузионная длина неосновных носителей должна быть значительно больше толщины базы транзистора . Однако для уменьшения времени рассасывания при работе транзистора в импульсных схемах необходим исходный материал с малым временем жизни неосновных носителей, а следовательно, и с малой диффузионной длиной. [10]
Прямое напряжение U уменьшает потенциальный барьер в эмиттерном переходе, и сопротивление п-области эмиттера снижается. Электроны из n — области свободно преодолевают потенциальный барьер и попадают в р-об-ласть базы. Толщина базы транзистора очень мала. [12]
Время задержки определяется временами диффузии носителей к центральному р — — переходу. С ростом интенсивности света время t3 уменьшается вследствие увеличения коэффициента диффузии. Для повышения фоточувствительности и уменьшения времени задержки целесообразно уменьшать толщины баз составляющих транзисторов . [13]
