На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора П210 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора П210
- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60** В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 12 А мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 60* Вт Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером >15* (2 В; 5 А)
- Обратный ток коллектора 0 1** МГц
DataSheet
Главная › Транзисторы › Транзистор П210
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | П210 | 2N3614 | |||
| П210А | 2N3614 | ||||
| П210Б | AD142, AD545 | ||||
| П210В | AD143 | ||||
| П210Ш | 2N3614 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | Вт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P * K, τ max,P ** K, и max | П210 | — | 60* | |
| П210А | — | 60* | |||
| П210Б | — | 45* | |||
| П210В | — | 45* | |||
| П210Ш | — | 60* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max | П210 | — | ≥0.1** | МГц |
| П210А | — | ≥0.1** | |||
| П210Б | — | ≥0.1** | |||
| П210В | — | ≥0.1** | |||
| П210Ш | — | ≥0.1** | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб. | П210 | — | 60** | В |
| П210А | — | 65** | |||
| П210Б | — | 65 | |||
| П210В | — | 45 | |||
| П210Ш | — | 64* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | П210 | — | 25 | В |
| П210А | — | 25 | |||
| П210Б | — | 25 | |||
| П210В | — | 25 | |||
| П210Ш | — | 25 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I * К , и max | П210 | — | 12 | А |
| П210А | — | 12 | |||
| П210Б | — | 12 | |||
| П210В | — | 12 | |||
| П210Ш | — | 12 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I * КЭR, I ** КЭO | П210 | — | ≤12 | мА |
| П210А | 45 В | ≤8 | |||
| П210Б | — | ≤15 | |||
| П210В | — | ≤15 | |||
| П210Ш | 65 В | ≤8 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h * 21Э | П210 | 2 В; 5 А | ≥15* | |
| П210А | 2 В; 5 А | ≥15* | |||
| П210Б | 2 В; 5 А | ≥10* | |||
| П210В | 2 В; 5 А | ≥10* | |||
| П210Ш | 2 В; 5 А | ≥15* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с * 12э | П210 | — | — | пФ |
| П210А | — | — | |||
| П210Б | — | — | |||
| П210В | — | — | |||
| П210Ш | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | П210 | — | — | Ом |
| П210А | — | — | |||
| П210Б | — | — | |||
| П210В | — | — | |||
| П210Ш | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r * b, Pвых | П210 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| П210А | — | — | |||
| П210Б | — | — | |||
| П210В | — | — | |||
| П210Ш | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс) | П210 | — | — | пс |
| П210А | — | — | |||
| П210Б | — | — | |||
| П210В | — | — | |||
| П210Ш | — | — |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
САМЫЙ КРУТОЙ ТРАНЗИСТОР — П210А
Добавить комментарий Отменить ответ
Свежие записи
- TL072 — 2х канальный, малошумящий операционный усилитель с входным каскадом на полевых транзисторах
- VIPER22A- Основной ключ импульсного блока питания с низким энергопотреблением
- AMS1117 — Стабилизатор с малым падением напряжения и выходным током 1 А
- IRF3205 — силовой МОП-транзистор HEXFET®
- U2010B — Микросхема фазового управления с обратной связью по току и защитой от перегрузки.
Свежие комментарии
- admin к записи Регуляторы серии LM2596
- Андрей к записи Регуляторы серии LM2596
- admin к записи Регуляторы серии LM2596
- Андрей к записи Регуляторы серии LM2596
- admin к записи Регуляторы серии LM2596
«Плохие» транзисторы.
П210, как и многие другие «советские» полупроводниковые приборы разрабатывался и создавался главным образом для нужд «оборонки». Готовые образцы тщательно проверялись, и при отклонениях(по нагреву, коэффиц. усиления и т. д.) превышающих установленную норму — нещадно отбраковывались. Отбракованные детали не утилизировались а наоборот, использовались — для нужд «народного хозяйства».
Транзисторы «второго сорта»(П210Б и П210В) применялись в выходных каскадах усилитей радиотрансляционных точек, различных стабилизаторах напряжения, устройствах для подзарядки автомобильных аккумуляторов и т. д. Однако, кроме «второго», имелся еще и «третий» сорт.
Такие П210 по сути, хотя и сохраняли работоспособность но имели весьма значительный разброс параметров. Именно они и попадали на прилавки магазинов, а через них — в руки советских радиолюбителей. Бывало, что устройства собранные на таких транзисторах вполне прилично работали. Бывало и наоборот, в общем — все как в лотерее.
С другой стороны, «военные» П210 вели себя совершенно иначе.
Не открою гос. тайны, если скажу что большинство бортовых радиостанций советских танков, БМП, и т. д. в конце восьмидесятых годов 20-го века оставались ламповыми (выходной каскад на ГУ-50). Очень надежные, хотя и несколько громоздкие устройства. Для питания такой радиостанции от бортовых аккумуляторов, необходим специальный блок питания, включающий в себя преобразователь напряжения. За полтора года моей службы, не один из этих блоков (на П210) не вышел из строя.
А служить мне пришлось в военной части «постоянной готовности». Т.е. танки, БМП и БЭТРЫ не простаивали в боксах а активно эксплуатировались. Машины еженедельно учавствовали в учебных стрельбах, часто перемещались по пересеченной местности. Радиоаппаратура постоянно подвергалась воздействию сильной вибрации и толчков, перепадам напряжения в бортовой сети. Должна была ломаться, ведь «совковая» — наверное хреновая?! А вот поди-ж ты.
Мне кажется, что вместо пренебрежительного отношения П210 заслуживают скорее, взвешенного подхода. Едва ли кто-то будет пытаться сейчас собрать на них, например — высококлассный УЗЧ. Но такие вещи, как стабилизатор напряжения, зарядное устройство — почему бы и нет?
Простое зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов.
Ниже приведена схема очень простого зарядного устройства с ручным регулированием тока зарядки.
Ток заряда выставляется с помощью переменного резистора, регулирующего сопротивление перехода коллектор-эмиттер транзистора VT1(П210). Коэффициент передачи тока транзистора П210 невысок, поэтому здесь добавлен дополнительный транзистор VT2. Коэффициент усиления полученного составного транзистора уже достаточно высок — поэтому ток протекающий через резистор относительно невелик.
В качестве VT2 можно применить, как германиевые транзисторы П213 — П217, так и кремниевые — КТ814 или КТ816. Для отвода тепла необходимо установить транзисторы на радиатор, площадью не мене 300 кв.см. Переменный резистор с мощностью рассеивания 0,5 ватт. Его номинал подбирается опытным путем и зависит от коэффициентов усиления используемых транзисторов.
Трансформатор мощностью минимум 250 ватт, лучше — 500, с напряжением вторичной обмотки 15 — 17 вольт. В диодном мосте используются любые выпрямительные диоды на максимальный рабочий ток не менее 5 ампер. Ток предохранителя Пр1 — 1 ампер, Пр2 — 5 ампер. Лампы Hl1 и Hl2 — индикаторы. В качестве их можно использовать любую сигнальную арматуру, в т. ч. и светодиодную, на напряжение 24 вольта.
Электроузел — ресурс, связанный с электричеством.
Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Облако тегов
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы П210А, П210Ш германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 37 гр., с наконечниками выводов и крепёжным фланцем 48,5 гр.
Чертёж транзистора П210А, П210Ш
| Граничное напряжение при IК и=2,5 А, не менее | 50 В |
| типовое значение | 70 В |
| Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером | |
| П210А при IК=5 А, UКЭ=2 В, не менее | 6,66 А/В |
| типовое значение | 9 А/В |
| П210Ш при IК=7 А, UКЭ=1 В, не менее | 6,52 А/В |
| типовое значение | 10 А/В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером | |
| П210А при IК=5 А, UКЭ=2 В, не менее | 15 |
| типовое значение | 19 |
| П210Ш при IК=7 А, UКЭ=1 В, не менее | 15-60 |
| типовое значение | 23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой при UКБ=20 В, IЭ=0,1 А, не менее | 100 кГц |
| Плавающее напряжение эмиттера при UКБ=40 В, не более | |
| П210А | 1,5 В |
| П210Ш | 0,15 В |
| Обратный ток коллектора, при Т=24,85°С | |
| при UКБ=45 В П210А, UКБ=65 В П210Ш, не более | 8 мА |
| при Т=69,85°С | |
| при UКБ=45 В П210А, не более | 50 мА |
| при UКБ=65 В П210Ш, не более | 12 мА |
| Обратный ток эмиттера П210Ш, не более | |
| при UЭБ=15 В | 3 мА |
| при UЭБ=35 В | 10 мА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-база П210А | 65 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер | |
| П210А при UБЭ≥1,5 В | 65 В |
| П210Ш при UБЭ≥0,1 В | 64 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база | 25 В |
| Постоянный ток коллектора в режиме насыщения П210А | 12 А |
| Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при τφ≤15 мкс П210Ш | 9 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность | |
| при Тк≤24,85°С | 60 Вт |
| при Тк=69,85°С | 15 Вт |
| Температура перехода | 84,85°С |
| Тепловое сопротивление | |
| переход-корпус | 1 К/Вт |
| переход-окружающая среда | 40 К/Вт |
| Температура окружающей среды | От -60,15 до Тк=69,85°С |
Примечание. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 20 мм от корпуса в течение не более 10 с. Температура жала паяльника должна быть не более 259,85°С. Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода должно быть не менее 20 мм.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от частоты. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от коэффициента насыщения. 4. Зависимость граничного напряжения от температуры корпуса. 5. Зависимость времени рассасывания от коэффициента насыщения. 6. Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от частоты. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от коэффициента насыщения. 4. Зависимость граничного напряжения от температуры корпуса. 5. Зависимость времени рассасывания от коэффициента насыщения. 6. Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.
- Транзисторы типа: МП20, МП21, МП21А, МП21Б
- Транзисторы типа: 2Т635А, КТ635Б
- Транзистор типа: КТ809А, 2Т809А
- Транзисторы типа: КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В
- Транзистор типа: КТ633Б
Транзистор п 210 характеристики
Наименование производителя: P210
Тип материала: Ge
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
P210 Datasheet (PDF)
STP210NF02STB210NF02 STB210NF02-1N-CHANNEL 20V — 0.0026 — 120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB210NF02/-1 20 V
STP210N75F6N-channel 75 V, 3 m, 120 A TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTP210N75F6 75 V
Ordering number:EN4537FP210NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorDriver ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors (PNP) containedunit:mmin one package, facilitating high-density mounting.2097A The FP210 is formed with 2 chips being equivalent[FP209]to the 2SB1123, placed in one package.Electrical Connection1:Base (PNP TR)2, 7:Co
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).
DMP2104VP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data P-Channel MOSFET Case: SOT-563 Very Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Terminal
DMP2104LPP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data P-Channel MOSFET Case: DFN1411-3 Very Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Te
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).
ZVP2106BMECHANICAL DATAP CHANNEL ENHANCEMENTDimensions in mm (inches)MODE DMOS FETBVDSS — 60V8.89 (0.35)9.40 (0.37)7.75 (0.305)ID(cont) 0.76A8.51 (0.335)RDS(on) 0.54.19 (0.165)4.95 (0.195)0.89max.(0.035)12.70(0.500)7.75 (0.305)min.8.51 (0.335)dia.FEATURES5.08 (0.200)typ. FAST SWITCHING SPEEDS2.542(0.100)1 3 NO SECONDARY
Supertex inc. VP2106P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power
Supertex inc. TP2104P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description High input impedance and high gain This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well- Low power drive requirementproven, silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a dev
Потребность в новом оборудовании
Для реализации техпроцесса п210 потребуется существенная модернизация оборудования на производстве полупроводниковых приборов. Необходимо будет устанавливать новые, более производительные литографические системы с повышенным разрешением.
Потребуются новые модели установок ионной имплантации, более равномерно легирующие кремний. Придется разрабатывать новые материалы — фоторезисты, растворы для травления.
Поиск аналогов
Пока технология производства п210 транзисторов не отработана, производители электроники могут искать временные решения с использованием уже освоенных аналогов п210.
Это позволит начать выпуск изделий нового поколения, не дожидаясь массового запуска п210 в производство. В дальнейшем аналоги можно будет заменить на п210.
Сравнение П210 с зарубежными аналогами
Несмотря на появление более современных полупроводниковых приборов, по многим параметрам П210 до сих пор превосходят зарубежные аналоги.
Например, по сочетанию большой мощности и рабочей температуры П210 значительно опережают кремниевые транзисторы. При работе в импульсном режиме П210 могут развивать в 10 раз большую мощность.
Применение цоколевки транзисторов П210
Правильный монтаж и цоколевка П210 — залог их эффективной и безопасной работы в устройстве. Рассмотрим основные правила цоколевки П210.
Во-первых, нужно определить тип транзистора — p-n-p или n-p-n. Это можно сделать с помощью омметра или по маркировке.
Во-вторых, выводы коллектора, базы и эмиттера подключаются в соответствии со схемой устройства. Неправильная цоколевка приведет к выходу транзистора из строя.
Одной из особенностей П210 является наличие в их конструкции редкоземельных и драгоценных металлов, таких как германий, золото, серебро.
Германий обеспечивает полупроводниковые свойства транзисторов, а золото и серебро — прочность выводов и надежный электрический контакт. Без этих компонентов П210 потеряли бы свои уникальные характеристики.
Таким образом, драгметаллы являются важной частью успеха П210. Их применение позволило создать по-настоящему выдающийся полупроводниковый прибор!
