Главная › Транзисторы › Транзистор КТ815
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ815А | — | BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1 | ||
| КТ815Б | — | BD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165 | |||
| КТ815В | — | BD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3 | |||
| КТ815Г | — | BD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3 | |||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P * K, τ max,P ** K, и max | КТ815А | — | 10* | Вт |
| КТ815Б | — | 10* | |||
| КТ815В | — | 10* | |||
| КТ815Г | — | 10* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max | КТ815А | — | ≥3 | МГц |
| КТ815Б | — | ≥3 | |||
| КТ815В | — | ≥3 | |||
| КТ815Г | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб. | КТ815А | 0.1к | 40* | В |
| КТ815Б | 0.1к | 50* | |||
| КТ815В | 0.1к | 70* | |||
| КТ815Г | 0.1к | 100* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ815А | — | 5 | В |
| КТ815Б | — | 5 | |||
| КТ815В | — | 5 | |||
| КТ815Г | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I * К , и max | КТ815А | — | 1.5(3*) | А |
| КТ815Б | — | 1.5(3*) | |||
| КТ815В | — | 1.5(3*) | |||
| КТ815Г | — | 1.5(3*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I * КЭR, I ** КЭO | КТ815А | 40 В | ≤0.05 | мА |
| КТ815Б | 40 В | ≤0.05 | |||
| КТ815В | 40 В | ≤0.05 | |||
| КТ815Г | 40 В | ≤0.05 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h * 21Э | КТ815А | 2 В; 0.15 А | ≥40* | |
| КТ815Б | 2 В; 0.15 А | ≥40* | |||
| КТ815В | 2 В; 0.15 А | ≥40* | |||
| КТ815Г | 2 В; 0.15 А | ≥30* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с * 12э | КТ815А | 5 В | ≤60 | пФ |
| КТ815Б | 5 В | ≤60 | |||
| КТ815В | 5 В | ≤60 | |||
| КТ815Г | 5 В | ≤60 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р. | КТ815А | — | ≤1.2 | Ом, дБ |
| КТ815Б | — | ≤1.2 | |||
| КТ815В | — | ≤1.2 | |||
| КТ815Г | — | ≤1.2 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r * b, P ** вых | КТ815А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ815Б | — | — | |||
| КТ815В | — | — | |||
| КТ815Г | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс) | КТ815А | — | — | пс |
| КТ815Б | — | — | |||
| КТ815В | — | — | |||
| КТ815Г | — | — |
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
sxematube — маркировка, внешний вид и цоколевка транзисторов кт814, кт815, кт816 и кт817
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
Транзистор КТ815 – биполярный кремневый эпитаксиально-планарный, имеющий структуру n-p-n. Данный транзистор применяется в схемах усилителей низкой частоты (УНЧ), в дифференциальных и операционных усилителях, в импульсных устройствах и различных преобразователей. Транзистор КТ815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы.
- Uкбо — max разрешенное напряжение коллектор-база
- Uкбо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-база
- Uкэо — max разрешенное напряжение коллектор-эмиттер
- Uкэо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
- Iкmax — max разрешенный ток коллектора
- Iкmax(и) — max разрешенный ток (импульсный) коллектора
- Pкmax — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
- Pкmax т — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
- h21э — статический коэффициент передачи тока транзистора КТ815 в схеме с ОЭ (общий эмиттер)
- Iкбо — обратный ток коллектора
- fгр — граничная частота h21э в схеме с общим эмиттером
- Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Габаритные и установочные размеры транзистора КТ815
При монтаже допускается сгибать выводы не ближе 5 миллиметров от самого корпуса транзистора и желательно с радиусом закругления не менее 2 мм. Так же необходимо исключить передачу усилия при сгибании выводов на корпус транзистора.
Производить пайку контактов транзистора следует не ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не более 250 гр. при погружении выводов в припой на период не более 2 сек.
Характеристики
Максимальные характеристики транзистора КТ815:
- Максимально допустимое постоянно действующее напряжение при сопротивлении Б-Э меньше 100 Ом (Uкэmax): 40 В;
- Постоянное напряжение между эмиттером и базой (Uэбmax): 5 В;
- Наибольший возможный ток коллектора (Iкmax): 1.5 А;
- Предельно возможный импульсный ток, на протяжении промежутка времени меньше 10 мс (Iкиmax): 3 А;
- Наибольший возможный ток базы (Iбmax): 0.5 А;
- Максимальная мощность, которая может рассеиваться на коллекторе в течение длительного времени: при теплоотводе — 10 Вт, без теплоотвода — 1 Вт;
- Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C.
Электрические параметры представлены в таблице ниже:
| Максимальное постоянное напряжение Б-Э | Uкэmax | 40 В |
| Максимальное постоянное напряжение Б-БЭО | Uбэоmax | 5 В |
| Максимальный коллекторный ток | Iкmax | 1.5 А |
| Максимальный импульсный коллекторный ток | Iкимакс | 3 А |
| Максимальный базовый ток | Iбmax | 0.5 А |
| Максимальная мощность рассеивания (с теплоотводом) | Pкmax (с т.о.) | 10 Вт |
| Максимальная мощность рассеивания (без теплоотвода) | Pкmax (б.т.о.) | 1 Вт |
| Максимальная рабочая температура | Tjmax | 150 °C |
Максимальные характеристики указывают на предельные значения, которые данный транзистор может выдержать без возможности повреждения или деградации производительности. Например, максимальное коллекторное напряжение (Vceo) указывает на максимальное напряжение, которое можно применить между коллектором и эмиттером транзистора без риска повреждения. Аналогично, максимальный коллекторный ток (Ic) указывает на максимальное значение тока, который может протекать через коллектор.
Комплементарная пара
Транзистор КТ815 имеет комплементарную пару, которой является транзистор КТ814. КТ814 также является биполярным высокочастотным транзистором и обладает схожими характеристиками с КТ815. Комплементарные пары транзисторов широко используются в схемах усилителей, где один транзистор выполняет функцию усиления положительной части сигнала, а второй транзистор — отрицательной.
Примеры полных аналогов транзистора КТ815:
Примеры ближайших по характеристикам аналогов:
Данные аналоги имеют схожие электрические характеристики и могут использоваться в аналогичных приложениях. Однако, при выборе замены КТ815 необходимо учитывать требования конкретной схемы и приложения, а также доступность компонентов на рынке.
Электроузел — ресурс, связанный с электричеством.
Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Облако тегов
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г не более 1 гр.
Чертёж транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
| Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи=300 мкс, Q≥100, не менее | |
| КТ815А | 25 В |
| КТ815Б | 40 В |
| КТ815В | 60 В |
| КТ815Г | 80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более | 0,6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более | 1,2 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=2 В, IК=0,15 А, не менее | |
| при Т=24,85°С | |
| КТ815А, КТ815Б, КТ815В | 40 |
| КТ815Г | 30 |
| при Т=-40,15°С | |
| КТ815А, КТ815Б, КТ815В | 30 |
| КТ815Г | 20 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее | 3 МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более | 60 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, не более | 75 пФ |
| Входное сопротивление в режиме малого сигнала при UКЭ=5 В, IК=5 мА, ƒ=800 Гц, не менее | 800 Ом |
| Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более | |
| при Тк=233÷298 К | 50 мкА |
| при Тк=99,85°С | 1000 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом, Тк=233÷373 К | |
| КТ815А | 40 В |
| КТ815Б | 50 В |
| КТ815В | 70 В |
| КТ815Г | 100 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер | |
| КТ815А | 25 В |
| КТ815Б | 40 В |
| КТ815В | 60 В |
| КТ815Г | 80 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213÷373 К | 5 В |
| Постоянный ток коллектора при Тк=233÷373 К | 1,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100, Тк=233÷373 К | 3 А |
| Постоянный ток базы при Тк=233÷373 К | 0,5 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | |
| с теплоотводом при Тк=233÷298 К | 10 Вт |
| без теплоотвода при Тк=233÷298 К | 1 Вт |
| Температура перехода КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В | 124,85°С |
| Температура окружающей среды | От -40,15 до Тк=99,85°С |
Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Тк=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К.
2. Пайку выводов транзисторов КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. Разрешается производить пайку путём погружения выводов не более чем на 2 с в расплавленный припой с температурой не выше 249,85°С.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.
- Транзисторы типа: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г
- Транзисторы типа: КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е
- Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
- Транзистор типа: КТ809А, 2Т809А
- Транзистор типа: КТ803А, 2Т803А
Производители
Транзистор КТ815 производят несколько компаний, включая:
- ООО «Кремний» ;
- ОАО «Электроника».
Datasheet (техническое описание) транзистора КТ815 доступно у производителей и на их официальных веб-сайтах. Также возможно найти Datasheet на специализированных ресурсах, посвящённых электронным компонентам.
Электроузел — ресурс, связанный с электричеством.
Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Облако тегов
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г не более 1 гр.
Чертёж транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
| Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи=300 мкс, Q≥100, не менее | |
| КТ815А | 25 В |
| КТ815Б | 40 В |
| КТ815В | 60 В |
| КТ815Г | 80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более | 0,6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более | 1,2 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=2 В, IК=0,15 А, не менее | |
| при Т=24,85°С | |
| КТ815А, КТ815Б, КТ815В | 40 |
| КТ815Г | 30 |
| при Т=-40,15°С | |
| КТ815А, КТ815Б, КТ815В | 30 |
| КТ815Г | 20 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее | 3 МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более | 60 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, не более | 75 пФ |
| Входное сопротивление в режиме малого сигнала при UКЭ=5 В, IК=5 мА, ƒ=800 Гц, не менее | 800 Ом |
| Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более | |
| при Тк=233÷298 К | 50 мкА |
| при Тк=99,85°С | 1000 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом, Тк=233÷373 К | |
| КТ815А | 40 В |
| КТ815Б | 50 В |
| КТ815В | 70 В |
| КТ815Г | 100 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер | |
| КТ815А | 25 В |
| КТ815Б | 40 В |
| КТ815В | 60 В |
| КТ815Г | 80 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213÷373 К | 5 В |
| Постоянный ток коллектора при Тк=233÷373 К | 1,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100, Тк=233÷373 К | 3 А |
| Постоянный ток базы при Тк=233÷373 К | 0,5 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | |
| с теплоотводом при Тк=233÷298 К | 10 Вт |
| без теплоотвода при Тк=233÷298 К | 1 Вт |
| Температура перехода КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В | 124,85°С |
| Температура окружающей среды | От -40,15 до Тк=99,85°С |
Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Тк=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К.
2. Пайку выводов транзисторов КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. Разрешается производить пайку путём погружения выводов не более чем на 2 с в расплавленный припой с температурой не выше 249,85°С.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.
- Транзисторы типа: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г
- Транзисторы типа: КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е
- Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
- Транзистор типа: КТ809А, 2Т809А
- Транзистор типа: КТ803А, 2Т803А
Транзисторы КТ815
Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 1 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30.
У транзисторов КТ815Г — от 20.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А — 25 в.
У транзисторов КТ815Б — 45 в.
У транзисторов КТ815В — 60 в.
У транзисторов КТ815Г — 80 в.
Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.
Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.
Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА
Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц — не более 800 Ом.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 0,6 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 1,2 в.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.
Граничная частота передачи тока — 3 МГц.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
