Полевым (униполярным) транзистором называется прибор, имеющий три вывода и управляемый приложенным к управляющему электроду (затвору) напряжением. Регулируемый ток протекает по цепи исток-сток.
Идея такого триода возникла около 100 лет назад, но подойти к практической реализации стало возможным только в середине прошлого столетия. В 50-х годах прошлого века была разработана концепция полевого транзистора, и в 1960 году был изготовлен первый действующий образец. Чтобы понять преимущества и недостатки триодов такого типа, надо разобраться в их устройстве.
Устройство полевых транзисторов
Униполярные транзисторы по устройству и технологии изготовления делятся на два больших класса. При сходстве принципов управления, они имеют конструктивные особенности, определяющие их характеристики.
Униполярные триоды с p-n переходом
Устройство такого полевика сходно с устройством обычного полупроводникового диода и, в отличие от биполярного родственника, содержит всего один переход. Транзистор с p-n переходом состоит из пластины из проводника одного типа (например, n), и внедренной области из полупроводника другого типа (в данном случае p).
N-слой образует канал, по которому между выводами истока и стока течет ток. Вывод затвора подключен к p-области. Если затвору приложить напряжение, смещающее переход в обратном направлении, то зона перехода расширяется, сечение канала, наоборот, сужается, его сопротивление увеличивается. Управляя напряжением на затворе, можно регулировать ток в канале. Транзистор можно выполнить и с каналом p-типа, тогда затвор образуется n-полупроводником.
Одной из особенностей такой конструкции является очень большое входное сопротивление транзистора. Ток затвора определяется сопротивлением обратносмещённого перехода, и составляет на постоянном токе единицы или десятки наноампер. На переменном токе входное сопротивление задаётся ёмкостью перехода.
Каскады усиления, собранные на таких транзисторах, за счёт высокого входного сопротивления упрощают согласование с входными устройствами. Кроме того, при работе униполярных триодов не происходит рекомбинации носителей заряда, а это ведет к уменьшению низкочастотных шумов.
УГО транзисторов с каналом p- и n-типов
При отсутствии смещающего напряжения ширина канала наибольшая, ток через канал максимален. При повышении напряжения можно достичь такого состояния канала, когда он полностью заперт. Это напряжение называется напряжением отсечки (Uотс).
Ток стока полевого транзистора зависит как от напряжения между затвором и истоком, так и от напряжения сток-исток. Если зафиксировать напряжение на затворе, при увеличении Uси сначала ток растет почти линейно (участок аб). При входе в насыщение дальнейшее увеличение напряжения практически не вызывает увеличение тока стока (участок бв). При увеличении уровня запирающего напряжения на затворе насыщение происходит при меньших значениях Iстока.
Виды транзисторов NPN PNP MOSFET JFET
На рисунке показано семейство зависимостей тока стока от напряжения между истоком и стоком для нескольких значений напряжения на затворе. Очевидно, что при Uси выше напряжения насыщения, ток стока зависит практически только от напряжения на затворе.
Это иллюстрирует передаточная характеристика униполярного транзистора. При увеличении отрицательного значения напряжения на затворе, ток стока практически линейно спадает вплоть до нуля при достижении на затворе уровня напряжения отсечки.
Униполярные триоды с изолированным затвором
Другой вариант исполнения полевого транзистора – с изолированным затвором. Такие триоды называют транзисторами МДП (металл-диэлектрик-полупроводник), зарубежное обозначение — MOSFET. Раньше было принято название МОП (металл-оксид-полупроводник).
Подложка выполняется из проводника определенного типа проводимости (в данном случае – n), канал образован полупроводником другого типа проводимости (в данном случае – p). Затвор отделен от подложки тонким слоем диэлектрика (оксида), и влиять на канал может только посредством создаваемого электрического поля. При отрицательном напряжении на затворе создаваемое поле вытесняет электроны из области канала, слой обедняется, его сопротивление увеличивается. Для транзисторов с каналом p-типа, наоборот, приложение положительного напряжения ведет к увеличению сопротивления и снижению тока.
Ещё одной особенностью транзистора с изолированным затвором является положительный участок на передаточной характеристике (отрицательный для триода с p-каналом). Это означает, что на затвор можно подавать напряжение и положительной полярности определённой величины, что увеличит ток стока. Семейство выходных характеристик принципиальных отличий от характеристик триода с p-n переходом не имеет.
Слой диэлектрика между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МДП-транзисторы ранних годов выпуска (например, отечественные КП350) были чрезвычайно чувствительны к статическому электричеству. Высокое напряжение пробивало тонкую пленку, выводя транзистор из строя. В современных триодах приняты конструктивные меры для защиты от перенапряжения, поэтому меры предосторожности от статики практически не нужны.
Другой вариант исполнения униполярного триода с изолированным затвором – транзистор с индуцированным каналом. Встроенный канал у него отсутствует, при отсутствии напряжения на затворе ток от истока к стоку течь не будет. Если к затвору приложить положительное напряжение, то создаваемое им поле «вытягивает» электроны из n-зоны подложки, и создает в приповерхностной области канал для протекания тока. Отсюда понятно, что такой транзистор, в зависимости от типа канала, управляется напряжением только одной полярности. Это видно и из его проходной характеристики.
Также существуют двухзатворные транзисторы. Они отличаются от обычных тем, что имеют два равноправных затвора, каждый из которых может управляться отдельным сигналом, но их воздействие на канал суммируется. Такой триод можно представить в виде двух последовательно включенных обычных транзисторов.
Обозначение полевого транзистора с управляющим p-n – переходом (J-FET).
Итак. Транзистор с управляющим p-n – переходом обозначается на схемах так:
n-канальный J-FET
p-канальный J-FET
В зависимости от типа носителей, которые используются для формирования проводящего канала (область, через которую течёт регулируемый ток), данные транзисторы могут быть n-канальные и p-канальные. На графическом обозначении видно, что n-канальные изображаются со стрелкой, направленной внутрь, а p-канальные наружу.
Обозначение МДП-транзистора.
Униполярные транзисторы МДП типа (MOSFET) имеют немного иное условное графическое обозначение, нежели J-FET’ы c управляющим p-n переходом. MOSFET’ы также могут быть как n-канальными, так и p-канальными.
MOSFET’ы существуют двух типов: со встроенным каналом и индуцированным каналом.
Разница в том, что транзистор с индуцированным каналом открывается только при подаче на затвор положительного или только отрицательного порогового напряжения. Пороговое напряжение (Uпор) – это напряжение между выводом затвора и истока, при котором полевой транзистор открывается и через него начинает протекать ток стока (Ic).
Полярность порогового напряжения зависит от типа канала. Для мосфетов с p-каналом к затвору необходимо приложить отрицательное «-» напряжение, а для тех, что с n-каналом, положительное «+» напряжение. Мосфеты с индуцированным каналом ещё называют транзисторами обогащённого типа. Поэтому, если услышите, что говориться о мосфете обогащенного типа – знайте, это транзистор с индуцированным каналом. Далее показано его условное обозначение.
n-канальный MOSFET
p-канальный MOSFET
Основное отличие МДП-транзистора с индуцированным каналом от полевого транзистора со встроенным каналом заключается в том, что он открывается только при определённом значении (U пороговое) положительного, либо отрицательного напряжения (зависит от типа канала – n или p).
Транзистор же со встроенным каналом открывается уже при «0», а при отрицательном напряжении на затворе работает в обеднённом режиме (тоже открыт, но пропускает меньше тока). Если же к затвору приложить положительное «+» напряжение, то он продолжит открываться и перейдёт в так называемый режим обогащения — ток стока будет увеличиваться. Данный пример описывает работу n-канального mosfet’а со встроенным каналом. Их ещё называют транзисторами обеднённого типа. Далее показано их условное изображение на схемах.
n-канальный МДП транзистор со встроенным каналом
p-канальный МДП транзистор со встроенным каналом
На условном графическом обозначении отличить транзистор с индуцированным каналом от транзистора со встроенным каналом можно по разрыву вертикальной черты.
Иногда в технической литературе можно увидеть изображение МОП-транзистора с четвёртым выводом, который является продолжением линии стрелки указывающей тип канала. Так вот, четвёртый вывод – это вывод подложки (substrate). Такое изображение мосфета применяется, как правило, для описания дискретного (т.е. отдельного) транзистора и используется лишь как наглядная модель. В процессе производства подложку обычно соединяют с выводом истока.
MOSFET с выводом подложки (substrate)
У мощных транзисторов МДП есть одна особенность – это наличие «паразитного» биполярного транзистора. Чтобы предотвратить работу такого «паразитного» элемента применяется следующая хитрость: Вывод истока (S) соединяют с подложкой (substrate). При этом происходит соединение выводов база-эмиттер в структуре «паразитного» транзистора и он находится в закрытом состоянии, и не мешает нормальной работе мосфета. На условном обозначении эта особенность указывается с помощью соединения вывода истока МДП-транзистора и стрелкой, которая указывает тип канала.
Обозначение мощного МОП-транзистора
В результате соединения истока и подложки в структуре полевого mosfet’а между истоком и стоком образуется встроенный диод. На работу прибора данный диод не влияет, поскольку в схему он включен в обратном направлении. В некоторых случаях, встроенный диод, который образуется из-за технологических особенностей изготовления мощного MOSFET’а можно использовать на практике. В последних поколениях мощных МОП-транзисторов встроенный диод используется для защиты самого элемента.
MOSFET со встроенным диодом
Встроенный диод на условном обозначении мощного МДП-транзистора может и не указываться, хотя реально такой диод присутствует в любом мощном полевике.
Полевой транзистор с изолированным затвором
Такие транзисторы также часто называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- или МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторами (англ. metall-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET). У таких устройств затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика. Физической основой их работы является эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.
Устройство транзисторов такого вида следующее. Есть подложка из полупроводника с p-проводимостью, в которой сделаны две сильно легированные области с n-проводимостью (исток и сток). Между ними пролегает узкая приповерхностнаяя перемычка, проводимость которой также n-типа. Над ней на поверхности пластины имеется тонкий слой диэлектрика (чаще всего из диоксида кремния — отсюда, кстати, аббревиатура МОП). А уже на этом слое и расположен затвор — тонкая металлическая пленка. Сам кристалл обычно соединен с истоком, хотя бывает, что его подключают и отдельно.
Если при нулевом напряжении на затворе подать напряжение исток-сток, то по каналу между ними потечет ток. Почему не через кристалл? Потому что один из p-n переходов будет закрыт.
А теперь подадим на затвор отрицательное относительно истока напряжение. Возникшее поперечное электрическое поле «вытолкнет» электроны из канала в подложку. Соответственно, возрастет сопротивление канала и уменьшится текущий через него ток. Такой режим, при котором с возрастанием напряжения на затворе выходной ток падает, называют режимом обеднения.
Если же мы подадим на затвор напряжение, которое будет способствовать возникновению «помогающего» электронам поля «приходить» в канал из подложки, то транзистор будет работать в режиме обогащения. При этом сопротивление канала будет падать, а ток через него расти.
Рассмотренная выше конструкция транзистора с изолированным затвором похожа на конструкцию с управляющим p-n переходом тем, что даже при нулевом токе на затворе при ненулевом напряжении исток-сток между ними существует так называемый начальный ток стока. В обоих случаях это происходит из-за того, что канал для этого тока встроен в конструкцию транзистора. Т.е., строго говоря, только что мы рассматривали такой подтип МДП-транзисторов, как транзисторы с встроенным каналом.
Однако, есть еще одна разновидность полевых транзисторов с изолированным затвором — транзистор с индуцированным (инверсным) каналом. Из названия уже понятно его отличие от предыдущего — у него канал между сильнолегированными областями стока и истока появляется только при подаче на затвор напряжения определенной полярности.
Итак, мы подаем напряжение только на исток и сток. Ток между ними течь не будет, поскольку один из p-n переходов между ними и подложкой закрыт.
Подадим на затвор (прямое относительно истока) напряжение. Возникшее электрическое поле «потянет» электроны из сильнолегированных областей в подложку в направлении затвора. И по достижении напряжением на затворе определенного значения в приповерхностной зоне произойдет так называемая инверсия типа проводимости. Т.е. концентрация электронов превысит концентрацию дырок, и между стоком и истоком возникнет тонкий канал n-типа. Транзистор начнет проводить ток, тем сильнее, чем выше напряжение на затворе.
Из такой его конструкции понятно, что работать транзистор с индуцированным каналом может только находясь в режиме обогащения. Поэтому они часто встречаются в устройствах переключения.
Условные обозначения транзисторов с изолированным затвором следующие:
Здесь
а − со встроенным каналом n- типа;
б − со встроенным каналом р- типа;
в − с выводом от подложки;
г − с индуцированным каналом n- типа;
д − с индуцированным каналом р- типа;
е − с выводом от подложки.
Статические характеристики МДП-транзисторов
Семейство стоковых и стоко-затворная характеристики транзистора с встроенным каналом предсталены на следующем рисунке:
Те же характеристики для транзистора с идуцированным каналом: 
Экзотические МДП-структуры
Чтобы не запутывать изложение, хочу просто посоветовать ссылки, по которым о них можно почитать. В первую очередь, это всеми любимая википедия, раздел «МДП-структуры специального назначения». А здесь теория и формулы: учебное пособие по твердотельной электронике, глава 6, подглавы 6.12-6.15. Почитайте, это интересно!
Общие параметры полевых транзисторов
- Максимальный ток стока при фиксированном напряжении затвор-исток.
- Максимальное напряжение сток-исток, после которого уже наступает пробой.
- Внутреннее (выходное) сопротивление. Оно представляет собой сопротивление канала для переменного тока (напряжение затвор-исток — константа).
- Крутизна стоко-затворной характеристики. Чем она больше, тем «острее» реакция транзистора на изменение напряжения на затворе.
- Входное сопротивление. Оно определяется сопротивлением обратно смещенного p-n перехода и обычно достигает единиц и десятков МОм (что выгодно отличает полевые транзисторы от биполярных «родственников»). А среди самих полевых транзисторов пальма первенства принадлежит устройствам с изолированным затвором.
- Коэффициент усиления — отношение изменения напряжения исток-сток к изменению напряжения затвор-исток при постоянном токе стока.
Как и биполярный, полевой транзистор можно рассматривать как четырехполюсник, у которого два из четырех контактов совпадают. Таким образом, можно выделить три вида схем включения: с общим истоком, с общим затвором и с общим стоком. По характеристикам они очень похожи на схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором для биполярных транзисторов.
Чаще всего применяется схема с общим истоком (а), как дающая большее усиление по току и мощности.
Схема с общим затвором (б) усиления тока почти не дает и имеет маленькое входное сопротивление. Из-за этого такая схема включения имеет ограниченное практическое применение.
Схему с общим стоком (в) также называют истоковым повторителем. Ее коэффициент усиления по напряжению близок к единице, входное сопротивление велико, а выходное мало.
Обозначение выводов биполярных и полевых транзисторов
Для обозначения выводов биполярных транзисторов, относящихся к базе, эмиттеру и коллектору, применяют буквы кириллицы или латиницы Б (В — Base), Э (Е — Emitter) и К (С -Collector) соответственно. На значке схемного обозначения транзистора стрелка указывает условное направление тока в эмиттере от плюса к минусу (рис. 1. а).
Для обозначения выводов полевых транзисторов, относящихся к затвору, стоку и истоку, применяют буквы кириллицы или латиницы 3 (G — Gate), С (D — Drain) и И (S — Source) соответственно.
Рис. 1. Обозначение выводов биполярных (а) и полевых (б) транзисторов на электрической схеме
- Апгрейд старой магнитолы, установка модуля с MP3 плеером
- Как изготовить печатную плату, советы начинающим
- Схема таймера для отключения телевизора (CD4060, SFH560-38)
- Малогабаритный металлоискатель на полевом транзисторе (КП303Г, К561ЛЕ5)
Укажите ваш пол, пожалуйста: Голосовать Результаты
Полевые транзисторы: структура, выходные характеристики, схема включения
Полевые (униполярные) транзисторы делятся на транзисторы с управляющим p–n-переходом (рис. 1) и с изолированным затвором. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом проще биполярного.
В транзисторе с n-каналом основными носителями заряда в канале являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока с низким потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток стока Iс. Между затвором и истоком полевого транзистора приложено обратное напряжение, запирающее p–n-переход, образованный n-областью канала и p-областью затвора.
Рис. 1. Структура (а) и схема (б) полевого транзистора с затвором в виде p–n -перехода и каналом n-типа; 1,2 – области канала и затвора; 3,4,5 – выводы истока, стока, затвора
Рис. 2. Ширина канала в полевом транзисторе при Uси = 0 (а) и при Uси >0 (б)
Это приводит к уменьшению ширины проводящего канала. При подаче напря-жения между истоком и стоком обедненный слой становится неравномерным (рис. 2,б), сечение канала возле стока уменьшается, и проводимость канала тоже уменьшается.
ВАХ полевого транзистора приведены на рис. 3. Здесь зависи-мости тока стока Iс от напряжения Uси при постоянном напряжении на затворе Uзи определяют выходные, или стоковые, характеристики полевого транзистора (рис. 3,а).
Рис. 3. Выходные (а) и передаточная (б) вольт-амперные характеристики полевого транзистора.
На начальном участке характеристик ток стока возрастает с увеличением Uси. При повышении напряжения сток–исток до Uси=Uзап–[Uзи] происходит перекрытие канала и дальнейший рост тока Iс прекращается (участок насыщения).
Отрицательное напряжение Uзи между затвором и истоком приводит к меньшим значениям напряжения Uси и тока Iс, при которых происходит перекрытие канала.
Дальнейшее увеличение напряжения Uси приводит к пробою p–n-перехода между затвором и каналом и выводит транзистор из строя. По выходным характеристикам может быть построена передаточная характеристика Iс=f(Uзи) (рис. 3,б).
На участке насыщения она практически не зависит от напряжения Uси. Из нее видно, что в отсутствии входного напряжения (затвор–сток) канал обладает определенной проводимостью и пропускает ток, называемый начальным током стока Ic0.
Чтобы практически «запереть» канал, необходимо приложить к входу напряжение отсечки Uотс. Входная характеристика полевого транзистора – зависимость тока утечки затвора I3 от напряжения затвор – исток – обычно не используется, так как при Uзи
Как и в случае биполярных транзисторов, полевые имеют три схемы включения: с общим затвором, стоком и истоком (рис. 4). Передаточная ВАХ полевого транзистора с управляющим p–n-переходом представлена на рис. 3,б.
Рис. 4. Схема включения полевого транзистора с общим истоком с управляющим p–n-переходом
Основными преимуществами полевых транзисторов с управляющим p–n-переходом перед биполярными являются высокое входное сопротивление, малые шумы, простота изготовления, низкое падение напряжения на открытом полностью канале. Однако полевые транзисторы обладают таким недостатком, как необходимость работать в отрицательных областях ВАХ, что усложняет схемотехнику.
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT-транзистор — это силовой полупроводниковый прибор с тремя выводами, известный своей высокой эффективностью и быстрым переключением. IGBT сочетает в себе характеристики транзистора с одним затвором MOSFET с низким напряжением насыщения и высокой токовой способностью биполярных транзисторов за счет объединения полевого транзистора с изолированным затвором для управляющего входа и биполярного силового транзистора в качестве ключа в одном устройстве.
Чаще всего IGBT-транзисторы на практике используются в виде силовых IGBT-модулей, собранных по различным схемам.
Телеграмм канал для тех, кто каждый день хочет узнавать новое и интересное: Школа для электрика
Если Вам понравилась эта статья, поделитесь ссылкой на неё в социальных сетях. Это сильно поможет развитию нашего сайта!
Не пропустите обновления, подпишитесь на наши соцсети:
Полевой транзистор с управляющим PN-переходом JFET
В нем область полупроводника N-типа образует канал между облостями P-типа. Электроды, подсоединяемые к концам N, получили название сток и исток. Полупроводники P-типа соединяются между собой и образуют один электрод – затвор. Вблизи выводов стока и истока располагаются области повышенного легирования с повышенной концентрацией электронов N. Это увеличивает проводимость канала. Кроме этого, наличие таких областей, снижает эффект появления паразитических PN-переходов в случае использования проводников из трехвалентного алюминия.
Обозначения электродов сток и исток достаточно условны. Если взять любой полевой транзистор, не подсоединенный к какой-либо цепи, то совсем нет разницы какой вывод корпуса сток, а какой исток. Имя электрода определяется его расположения в схеме.
Работа полевого транзистора JFET с N-каналом
Напряжение на затворе Uзи = 0. Подсоединим источник питания плюсом к стоку, минус к истоку. Затвор также подключим на общий. Начнем плавно увеличивать напряжение на стоке Uси. Пока оно мало, ширина канала наибольшая. В таком виде полевой транзистор выглядит как обычный проводник. Чем выше уровень напряжения Uси, тем выше ток через канал между стоком и истоком Iси. Это состояние иногда именуют омической областью.
С увеличением Uси, в областях N-типа плавно снижается количество электронов – образуется обедненный слой. Он растет несимметрично, сильнее со стороны стока, т.к туда подсоединен источник питания. В результате канал становится уже и при последующем повышении напряжения Uси, ток Iси будет увеличиваться на очень малые значения. Это состояние получило название режим насыщения.
Uзи < 0. Когда полевой транзистор находится в режиме насыщения, канал достаточно узкий. Можно подать напряжение отрицательной полярности на затвор Uзи, для того чтобы еще больше сузить канал и уменьшить Iси. Если и дальше понижать уровень Uзи, канал будет уменьшаться, пока полностью не перекроется, и движение тока не остановится. Уровень Uзи, при котором ток останавливается, называется напряжение отсечки (Uотс).
Для усиления сигнала приборы типа JFET применяют в режиме насыщения, так как в нем при изменение Uзи сильно меняется значение протекающего тока. Параметр усилительной способности JFET – это крутизна стоко-затворной характеристики. Обозначается gm или S, и измеряется в mA/V.
Преимущества и недостатки полевого транзистора JFET
Высокое входное сопротивление. Одно из главных достоинств полевых транзисторов, это очень большое входное сопротивление Rвх (Rin). Причем у их собратьев с изолированным затвором MOSFET, Rin сопротивление еще выш. Благодаря этому свойству, они практически не потребляют ток у источников сигнала, который требуется усилить. Например в схеме широкополосного антенного усилителя
Но к сожалению у JFET по сравнению с биполярными транзисторами очень низкий коэффициент усиления по напряжению. Если построить усилитель только с использованием JFET, можно получить Ku около 20. Поэтому в схема усилителей часто используются оба типа полупроводниковых приборов.
Обозначение и классификация (виды, типы) полевых транзисторов
Полевые транзисторы бывают с изолированным затвором (MOSFET, МОП) (первая буква индекса на картинке ‘A’) и с p-n переходом (первая буква индекса на картинке ‘B’). Прибор с изолированным затвором может работать при любой полярности напряжения на затворе, так как затвор изолирован от канала. Прибор с p-n переходом работает, только если p-n переход не проводит электрический ток, то есть прямое напряжение не может превышать нескольких десятых вольта.
Полевые транзисторы бывают с каналом n — типа (вторая буква индекса на картинке ‘A’) и p — типа (вторая буква индекса на картинке ‘B’). n — канальные транзисторы работают, когда напряжение на истоке меньше напряжения на стоке, p — канальные, наоборот, когда напряжение на истоке больше напряжения на стоке. На затвор n — канального полевого транзистора с p-n переходом нужно подавать отрицательное напряжение относительно истока, на затвор p — канального — положительное.
На изображении обозначены: (1) — сток, (2) — исток, (3) — затвор, (4) — подложка. Когда подложка соединена с истоком, это соединение показывается на изображении.
n — канальные полевые транзисторы с изолированным затвором могут быть обедненного типа и обогащенного типа. Обогащенные полевые транзисторы проводят ток, только если напряжение на затворе выше, чем на истоке. Обедненные перестают проводить ток (запираются) при некотором отрицательном напряжении на затворе относительно истока.
р — канальные полевые транзисторы бывают только обогащенными. Они начинают проводить ток (отпираются) при некотором отрицательном относительно истока напряжении на затворе.
Температурный коэффициент
Полевые транзисторы обладают замечательным эффектом, позволяющим соединять их параллельно без всяких проблем. При большом токе стока по мере нагрева ток стока снижается. При малом стоке, кстати, этот эффект не наблюдается. Снижение тока стока при нагреве приводит к равномерному распределению тока между транзисторами, соединенными параллельно, без каких-либо дополнительных усилий. Действительно, полевой транзистор, через который ток в холодном состоянии немного больше (из-за технологического разброса), просто немного сильнее нагревается, и ток выравнивается.
К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.
Полевой транзистор — силовой ключ Применение полевого транзистора в качестве ключа. Читать дальше.
Применение полевых транзисторов Типичные схемы с полевыми транзисторами. Применение МОП. Читать дальше.
Уважаемый Автор, мне кажется, в статье перепутаны определения обедненных и обогащенных транзисторов. р-канальные транзисторы действительно бывают только обогащённого типа (они же с индуцированным каналом они же enhancement-mode). Но они не проводят ток при нулевом напряжении затвора, а отпираются при некотором пороговом отрицательном напряжении на затворе относительно с Читать ответ.
Мощный полевой транзистор irfp2907. МОП, MOSFET. Свойства, параметры, .
Применение и параметры IRFP2907, мощного полевого транзистора, рассчитанного на .
Практика проектирования электронных схем. Самоучитель электроники.
Искусство разработки устройств. Элементная база радиоэлектроники. Типовые схемы.
Проверка биполярного, полевого транзисторов, МОП, FET, MOSFET. Провери.
Как проверить исправность биполярного и полевого транзисторов. Методика испытани.
Сверхмощный импульсный усилитель звука. Площади. Вещательный. Звуковой.
Сверхмощный импульсный усилитель звука для озвучивания массовых мероприятий и пр.
Поиск, обнаружение разрывов, обрывов проводки. Найти, искать, отыскать.
Детали, сборка и наладка прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов.
Параллельное, последовательное соединение конденсаторов. Расчет емкост.
Вычисление емкости и напряжения при параллельном и последовательном соединении к.
