Bd139 транзистор характеристики и его российские аналоги

Содержание

The BD139 from STMicroelectronics is a through hole NPN complementary low voltage transistor in TO-126 (SOT-32) package. This device manufactured in epitaxial planar technology. Used for audio amplifiers and drivers, utilizing complementary or quasi complementary circuits. . Collector to emitter voltage (Vce) is 80V . Collector current (Ic) is 1.5A . Power dissipation (Pd) is 12.5W . Collector to emitter saturation voltage of 500mV at 0.5A collector current . DC current gain (hFE) of 25 at 0.5A collector current . Operating junction temperature range from 150°C

Просмотреть все

BD139-16 Обзор

The BD139-16 is a NPN low voltage Transistor with built-in epitaxial planar technology. Designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. . Complement to BD140 . 10°C/W Junction-to-case thermal resistance . 100°C/W Junction-to-ambient thermal resistance

Просмотреть все

Обзор транзистора BD139

Транзистор BD139 был разработан в конце 70-х годов известной голландской компанией Philips. Изначально он предназначался для применения в различных схемах звуковых усилителей, выпускаемых этой фирмой. BD139 относится к биполярным кремниевым транзисторам средней мощности и низкой рабочей частотой. Его основные технические характеристики:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 80 В
Максимальный ток коллектора — 1,5 А
Максимальная рассеиваемая мощность — 1,25 Вт
Частота усиления — до 20 МГц

BD139 выпускался в пластмассовом корпусе ТО-126 без радиатора. Это позволило снизить его стоимость по сравнению с металлическими аналогами. Корпус не проводит ток, что уменьшает влияние других элементов схемы.

Транзистор часто использовался в усилителях звуковых частот, импульсных источниках питания, преобразователях напряжения. Он хорошо зарекомендовал себя в схемах предварительных каскадов усиления мощности. Также применялся в стабилизаторах напряжения и ключевых схемах.

BD139 получил широкое распространение в России благодаря использованию в популярной аппаратуре советского производства. Его часто применяли для замены отечественных транзисторов при ремонте старой техники. Однако в настоящее время bd139 практически не производится в Европе. Это делает актуальным поиск полноценных заменителей среди российских аналогов.

Поиск российских аналогов

Среди отечественных аналогов популярного европейского транзистора BD139 можно выделить несколько наиболее подходящих моделей:

Эти транзисторы имеют схожие с BD139 характеристики и могут использоваться для замены в большинстве схем. Рассмотрим их подробнее.

КТ815Г является практически полным аналогом BD139, так как имеет идентичный пластмассовый корпус и расположение выводов. Его максимальный ток коллектора составляет 1,5 А, а частота усиления достигает 15 МГц. КТ815Г хорошо подходит для применения в звуковых усилителях и импульсных источниках питания.

Транзистор 2Т312Б отличается более высоким быстродействием — до 50 МГц. Он может использоваться в высокочастотных схемах вместо BD139. Максимальный ток 2Т312Б составляет 1 А. Корпус металлический.

Модель П307Б имеет меньшую мощность, ее максимальный ток всего 0,8 А. Зато транзистор отличается очень низким уровнем шумов, что позволяет применять его в звуковых усилителях высокого качества.

Транзистор ГП712Б может использоваться в схемах с напряжением до 60 В и обладает высокой надежностью. Его частотные свойства аналогичны BD139, а максимальный ток достигает 1 А.

Таким образом, в зависимости от конкретных требований к параметрам схемы, можно подобрать оптимальный российский аналог популярного зарубежного транзистора BD139.

Корпус, цоколевка и маркировка

Транзистор выпускается в пластиковом корпусе TO126 (SOT-32-3), предназначенном для монтажа through hole (в отверстия). Для электрических подключений выведены три проволочных предварительно облуженных вывода. Выводы можно немного изогнуть, а перед монтажом их укорачивают по посадочному месту. Корпус пластиковый, с металлической пластиной для теплового контакта с радиатором (крепление – винтом). Электрически пластина соединена с коллектором.

Если на схеме коллектор не соединен с общим проводом, потребуется слюдяной или керамический изолятор между корпусом триода и теплоотводом.

Маркировка наносится на лицевую часть корпуса. Самая важная часть – тип полупроводникового прибора. На оставшемся месте наносится дополнительная информация от производителя (в виде условного кода).

Аналоги

Если повышенное рабочее напряжение транзистора не требуется, то BD139 можно заменить на элементы той же линейки – BD135 и BD137 (рассчитаны на 45 и 60 вольт соответственно). SMD-аналогом триода BD139 считается транзистор BCP56, который выпускается в корпусе SOT-223. Хотя этот элемент и способен выдерживать большее напряжение (до 100 вольт против 80 вольт у BD139), но его конструкция хуже приспособлена к отведению тепла, поэтому его предельный ток коллектора составляет всего 1 ампер (против 1,5 у выводного варианта).

Другие зарубежные триоды, которые подойдут для замены:

Из российских аналогов неплохо подходит КТ815Г. Он упакован в аналогичный корпус и имеет схожие электрические параметры. Можно заменить BD139 и на более мощный КТ817Г. Он выпускается в таком же корпусе, большинство его электрических характеристик аналогичны, но КТ817Г может работать при вдвое большем токе коллектора (что, естественно, не мешает замене).

Bd139 транзистор характеристики и его российские аналоги

Наименование производителя: BD139

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

BD139 Datasheet (PDF)

Order this documentMOTOROLAby BD135/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD135BD137Plastic Medium Power SiliconBD139NPN Transistor. . . designed for use as audio amplifiers and drivers util

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BD135; BD137; BD139NPN power transistors1999 Apr 12Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistors BD135; BD137; BD139FEATURES PINNING High current (max. 1.5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2 collector, connected to m

BD135BD139NPN SILICON TRANSISTORSType MarkingBD135 BD135BD135-10 BD135-10BD135-16 BD135-16BD139 BD139BD139-10 BD139-10BD139-16 BD139-1612 STMicroelectronics PREFERRED3SALESTYPESSOT-32DESCRIPTION The BD135 and BD139 are silicon EpitaxialPlanar NPN transistors mounted in JedecSOT-32 plastic package, designed for audioamplifiers and drivers utilizing com

BD135 — BD136BD139 — BD140Complementary low voltage transistorFeatures Products are pre-selected in DC current gainApplication General purpose123DescriptionSOT-32These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. The NPN typ

BD135BD137/BD139NPN SILICON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe BD135, BD137 and BD139 are siliconepitaxial planar NPN transistors in Jedec SOT-32plastic package, designed for audio amplifiersand drivers utilizing complementary or quasicompementary circuits.The complementary PNP types are the BD13612BD138 and BD140.3SOT-32INTERNAL SCHEMATIC

BD135/137/139Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD136, BD138 and BD140 respectivelyTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : BD135 45 V : BD137 60 V : BD139 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage : BD135

BD135/137/139 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMEDIUM POWER LINEAR ANDTO-126SWITCHING APPLICATIONS Complement to BD136, BD138 and BD140 respectivelyABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage : BD135 VCBO 45 V : BD137 60 V : BD139 80 V Collector Emitter Voltage : BD135 VCEO 45 V : BD137 60 V : BD139 80 V 1. Emitter 2.Collector 3.Bas

BD135 / 137 / 139NPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Complement to BD136, BD138 and BD140 respectivelyApplications Medium Power Linear and SwitchingTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseOrdering InformationPart Number Marking Package Packing MethodBD13516S BD135-16 BulkBD1356STU BD135-6BD13510STU BD135-10BD13516STU BD135-16 RailBD13716STU BD137-16BD13710

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD BD139 NPN SILICON TRANSISTOR NPN POWER TRANSISTORS FEATURES * High current (max.1.5A) 1* Low voltage (max.80V) TO-2511TO-126 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 BD139L-xx-T60-K BD139G-xx-T60-K TO-126 E C B BulkBD139L-xx-TM3-T BD139G-xx-TM3-T TO-251 B C E TubeBD139L-xx

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD135 BD137BD139TO126 Plastic PackageECBDesigned for use as Audio Amplifier and Drivers UtilizingComplementary BD136, BD138, BD140ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BD135 BD137 BD139 UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 45 60 80 VCol

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsBD135 / BD137 / BD139 TRANSISTOR (NPN)TO 126 FEATURES 1. EMITTER High Current Complement To BD136, BD138 And BD140 2. COLLECTOR3. BASE Equivalent Circuit BD135 BD137 BD139 XX XX XXBD135,BD137,BD139=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none,

BD135/BD137/BD139(NPN) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 21 Features High Current(1.5A) Low Voltage(80V) 2.5007.400 Dimensions in inches and (millimeters)2.9001.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted ) 7.8001.500Va3.900lue 3.000Symbol Parameter 4.100 Units 3.200BD135 BD137 BD13910.6000.00011.0000

BD135/137/139NPN Epitaxial Planar Transistors1. EMITTER2. COLLECTORP b Lead(Pb)-Free3. BASE123TO-126ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25C)Rating Symbol BD135 BD137 BD139 UnitVCBO45 60 80 VCollector-Emitter VoltageVCEO45 60 80 VCollector-Base VoltageVEBOEmitter-Base Voltage 5.0 5.0 5.0 VCollector Current IC1.5 APD1.25 WPower DisspationTj150 CJu

BD139NPN Silicon NPN transistor / DescriptionsTO-126 NPN Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package. / Features / Applications BD140 Complement to BD140 Medium power linear and switching applications / Equivalent Circuit

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD135 BD137 BD139 DESCRIPTION With TO-126 package High current Complement to type BD136/138/140 APPLICATIONS Driver stages in high-fidelity amplifiers and television circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings (T

BD135G, BD137G, BD139GPlastic Medium-PowerSilicon NPN TransistorsThis series of plastic, medium-power silicon NPN transistors aredesigned for use as audio amplifiers and drivers utilizingcomplementary or quasi complementary circuits.http://onsemi.comFeatures1.5 A POWER TRANSISTORS High DC Current GainNPN SILICON BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 14

BD135 / BD137 / BD139 NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen 0,3 ВUКБ = 30 В; IЭ = 0 АІКБО < 0,1 мкАUЭБ = 5 В; IК = 0 АIЭБО < 10 мкА

Тест транзисторов BD139 с разных китайских магазинов на Aliexpress

Тепловые параметры

Важно обеспечить корректную работу радиоэлементов. Граничные значения температуры окружающей среды – в диапазоне от -65 до +150 °C. Для дополнительного охлаждения отдельно используется радиатор. Далее приведены термические сопротивления транзистора BD139.

Условия	Значение θ
Общее тепловое сопротивление	θJA= 100 °C/Вт)
Сопротивление корпуса к среде	θCA= 90 °C/Вт)
Сопротивление корпуса к кристаллу	θJC = 10 °C/Вт)

Классификация по HFE

Коэффициент усиления в разных режимах занимает диапазон 25-250 Hfe. Все эти данные приведены в datasheet которые прикреплены в конце.

Максимальные значения	HFE
UКЭ = 2 В; 0,005 A < IK < 0,15 A	25
UКЭ = 2 В; 0,15 A < IK < 0,5 A	40-250
UКЭ = 2 В; IK = 0,5 A	25

Аналоги транзистора BD139

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые мезо-эпитаксиально-планарные, NPN, усилительные. Разработаны для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях, операционных усилителях, импульсных и переключающих устройствах. Данные получены из даташит производителя.

Отечественное производство (РФ и РБ)

МодельPCUCBUCEUEBIC TJfThFE

BS139	12,5	100	80	5	1,5	150	190	≥ 40
КТ815Г	10	100	100	5	1,5	150	≥ 3	≥ 30
КТ8272В	10	80	80	5	1,5	150	—	40
КТ961А	12,5	100	80	5	1,5	150	≥ 50	от 40 до 100
КТ943В	25	100	80	5	2	150	30	от 40 до 120

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCE UEB ICTJfThFE

BD139	12,5	100	80	5	1,5	150	190	40. 250
2SC2824	15	120	120	5	1	150	120	80
2SC4342	12	150	—	—	3	150	—	10000
2SD1438	15	80	80	8	2	150	100	4000
2(K)SD1692	15	150	100	8	3	150	100	3000
2(K)SD1692G	15	150	100	8	3	150	100	14000
2(K)SD1692O	15	150	100	8	3	150	100	3000
2(K)SD1692Y	15	150	100	8	3	150	100	7000
2SD2039	15	100	—	—	2	150	100	4000
2SD2139	15	80	—	—	3	150	50	50
BTD1858T3	15	180	180	5	1,5	150	140	180
KSE182	12,5	100	80	7	3	150	50	50
MJE182	12	100	80	7	3	150	50	50
BD137	12,5	60	60	5	1,5	150	190	25. 250
BDW57	8	60	60	5	1,5	175	40	40

Примечание: представленные в таблицах транзисторы имеют конструктивное исполнение ТО-126.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от коллекторной нагрузки ICпри двух разных соотношениях тока коллектора и тока базы IC/IB.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) и напряжения включения база-эмиттер UBE(ON) от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 4. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры корпуса TC.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Область безопасной работы ограничивается предельным током коллекторной нагрузки в импульсном режиме IC MAX (Pulsed) и режиме постоянного тока IC MAX (Continuous), предельным напряжением коллектор-эмиттер UCE MAX = 80 В и максимальной мощностью рассеивания. Кривые мощности рассеивания сняты для однократных неповторяющихся импульсов тока длительностью 100 мкс и 1 мс и постоянного тока (помечено на графике как «DC»).

Униполярные транзисторы

Второй тип транзистора — униполярный транзистор, который обозначается, например, как MOSFET и может использоваться вместо тиристора для переменного напряжения, но специальные транзисторы IGBT кажутся более подходящими. Униполярные транзисторы состоят из DGS — сток, затвор, исток. Существует несколько типов униполярных транзисторов, например, в зависимости от изоляции блока управления.

IGBT-транзисторы сочетают в себе характеристики униполярных и биполярных транзисторов, то есть биполярных и полевых транзисторов. IGBT-транзисторы хорошо подходят для использования в преобразователях частоты и инверторах, поскольку они быстро переключаются, управляются при низком напряжении, и все это без больших потерь мощности.

Как работает транзистор?

Транзистор является основой микроконтроллеров, поскольку он может регулировать и контролировать ток, потребляя при этом минимальный ток, а затем эффективно усиливать его. Проще говоря, можно сказать, что данный компонент — это своего рода усилитель. Простым устройством, для которого необходимо купить транзистор bd139 является классический микрофон. В то же время транзистор может выполнять функцию переключателя.

Одно из самых важных применений транзисторов, о котором мы уже говорили выше, — это вычислительная техника, где транзисторы являются частью оперативной памяти, процессора и даже видеокарты.