Какое напряжение будет в точке в при условии что в точке а плюс 5v транзисторы идеальные

Содержание

Школьнику.com

Опубликовано 11.06.2017 по предмету Физика от Гость >> Оцени ответ

  • Алгебра
  • Математика
  • Русский язык
  • Українська мова
  • Информатика
  • Геометрия
  • Химия
  • Физика
  • Экономика
  • Право
  • Английский язык
  • География
  • Биология
  • Другие предметы
  • Обществознание
  • История
  • Литература
  • Українська література
  • Беларуская мова
  • Қазақ тiлi

Показать ещё

Какое напряжение будет в точке в при условии что в точке а плюс 5v транзисторы идеальные

marmy

November 2021 1 41 Report

Какое напряжение будет в точке В, при условии что в точке А — плюс 5V ? Транзисторы идеальные.
10V
5V
2,5V
0V

Answers > Оцени ответ

  • Алгебра
  • Математика
  • Русский язык
  • Українська мова
  • Информатика
  • Геометрия
  • Химия
  • Физика
  • Экономика
  • Право
  • Английский язык
  • География
  • Биология
  • Другие предметы
  • Обществознание
  • История
  • Литература
  • Українська література
  • Беларуская мова
  • Қазақ тiлi

Показать ещё

ТРАНЗИСТОР. Ключевой и линейный режимы. Расчёт ключа на биполярном транзисторе и МОСФЕТе.

Какое напряжение будет в точке в при условии что в точке а плюс 5v транзисторы идеальные

marmy

November 2021 1 42 Report

Какое напряжение будет в точке В, при условии что в точке А — плюс 5V ? Транзисторы идеальные.
10V
5V
2,5V
0V

Answers Comments

Verified answer

Вообще-то напряжение в точке B будет зависеть от напряжения в точке А. Если там напряжение ниже порога открытия VT1 для кремниевых транзисторов около 0,6 В. Тогда он закрыт. Напряжение на его коллекторе около 2,5В. Тогда VT2, будет открыт и в идеале напряжение на его коллекторе (точка B) Будет около 0.
А если напряжение в точке A достаточное для полного открытия VT1 около 0,7 — 0,8 В. Вообще говоря, зависит от коэффициента передачи по току VT1, то VT1 открыт, на его коллекторе около 0. Ну и следовательно VT2 закрыт и на его коллекторе 2,5 В.
Т.е. при В в точке В скорее всего будет 0 В. Ток базы VT1, будет 2,5В/1000 Ом=2,5 мА (точнее для кремниевого (2,5-0,6)/1000=1,9 мА). Т.е. за глаза хватит, чтобы VT1 ввести в насыщение, и открыть его.

Какое напряжение будет в точке в при условии что в точке а плюс 5v транзисторы идеальные

Exponena

Exponena 8 лет назад

Светило науки — 431 ответ — 1820 раз оказано помощи

Вообще-то напряжение в точке B будет зависеть от напряжения в точке А. Если там напряжение ниже порога открытия VT1 для кремниевых транзисторов около 0,6 В. Тогда он закрыт. Напряжение на его коллекторе около 2,5В. Тогда VT2, будет открыт и в идеале напряжение на его коллекторе (точка B) Будет около 0.
А если напряжение в точке A достаточное для полного открытия VT1 около 0,7 — 0,8 В. Вообще говоря, зависит от коэффициента передачи по току VT1, то VT1 открыт, на его коллекторе около 0. Ну и следовательно VT2 закрыт и на его коллекторе 2,5 В.
Т.е. при В в точке В скорее всего будет 0 В. Ток базы VT1, будет 2,5В/1000 Ом=2,5 мА (точнее для кремниевого (2,5-0,6)/1000=1,9 мА). Т.е. за глаза хватит, чтобы VT1 ввести в насыщение, и открыть его.

Рассчитать при каких напряжениях Uвх транзистор в схеме

Рассчитать, при каких напряжениях Uвх транзистор в схеме, приведенной на рисунке 2, будет находиться: а)в режиме насыщения; б)в режиме отсечки; в)в активном режиме. Исходные данные приведены в таблице 6. Таблица 6. Параметр Значение Сопротивление R1, кОм 20 Сопротивление R2, кОм 10 Сопротивление R3, кОм 3 Коэффициент передачи тока β 40 Напряжение источника Eк, В +15 Напряжение источника E, В -2 Напряжение порога Uпор, В 0 Обратный ток Iк. обр, мкА 20

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

Рисунок 2.
По исходным данным определим тип транзистора n-p-n, т. к. на коллектор подается положительное напряжение Eк=15 В относительно заземленного эмиттера, и материал изготовления транзистора — германий, т. к. Uпор=0 В.
Условие насыщения транзистора:
Iб≥Eкβ∙R3
Можно записать:
Iб=i1+i2=ER2+UвхR1≥Eкβ∙R3
Откуда получим:
UвхR1≤Eкβ∙R3-ER2
Uвх≤R1∙Eкβ∙R3-ER2=20∙103∙1540∙3∙103—210∙103=6,5 В
Условие отсечки транзистора:
Uб=Uвх∙R2R1+R2+E∙R1R1+R2-Iк . обр∙R1∙R2R1+R2≥Uпор
Uвх∙R2+E∙R1-Iк. обр∙R1∙R2≥Uпор∙R1+R2
Uвх≥Uпор∙R1+R2+Iк. обр∙R1∙R2-E∙R1R2
откуда следует:
Uвх≥Uпор∙R1+R2+Iк0∙R1∙R2-E∙R1R2=
=0∙20∙103+10∙103+20∙10-6∙20∙103∙10∙103+2∙20∙10310∙103=4,4 В
Условие активного режима:
-E∙R1R2+Iк0∙R1>Uвх>-E∙R1R2-Eкβ∙R3
отсюда следует:
Uвх>-E∙R1R2-Eкβ∙R3=2∙20∙10310∙103-1540∙3∙103=4 В.
Uвх Условия:
-режима насыщения:
Uвх -активного режима:
4 В -режима отсечки:
Uвх>4,4 В
Ответ:-режим насыщения при Uвх -активный режим при 4 В -режим отсечки при Uвх>4,4 В

50% задачи недоступно для прочтения

Полное решение в Кампус. Переходи в личный кабинет по кнопке и получи решение за 1 токен, в формате PDF

Оцените статью
TutShema
Добавить комментарий